Efecto De Campo

“PROGRAMA INTEGRAL DE CONTROL Y AUTOMATIZACION ELECTRONICA”

CURSO: DISPOSITIVOS SEMICONDCUTORES

PROFESOR: MILWARD CHARAJA

INFORME: Nº3 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

INTEGRANTE: DAVID CHOQUENAIRA FLOREZ

DENNIS PAREDES MEJIA

SAUL ROCA

AREQUIPA-2012

1. OBJETIVOS

-Identificar las características de diferentes transistores de FET.

-Obtener las curvas características de “salida” y de “transferencia” de un transistor JFET canal N.

2. MATERIALES

• Patch panel.

• Resistencias: 10ohm y 10kohm.

• Transistor JFET canal N modelo 2N3819.

• Multímetro digital

• Amperímetro digital

• Jumpers

• Cables de conexión.

3. MARCO TEORICO

TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

Simbolos gráficos para un FET de canal N

Simbolos gráficos para un FET de canal N

Disposición de las polarizaciones para un FET de canal N.

La Figura muestra un esquema que ayudará a comprender el funcionamiento de un FET. En este caso se ha supuesto que el canal es de material de tipo N.

La puerta está polarizada negativamente respecto a la fuente, por lo que la unión P-N entre ellas se encuentra polarizada inversamente y existe (se crea) una capa desierta.

Si el material de la puerta está más dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estará formada por el canal. Si al tensión de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unión.

Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circulará una corriente entre sumidero y fuente, que hará que la polarización inversa de la unión no sea uniforme en toda su longitud y, en consecuencia, en la parte más próxima al sumidero, que es la más polarizada, la capa desierta penetrará más hacia el interior del canal.

Para valores pequeños de Vds, la corriente de sumidero es una función casi lineal de la tensión, ya que la penetración de la capa desierta hacia el interior del canal no varía substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensión aumenta también la polarización inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de éste disminuye. El ritmo de incremento de corriente resulta,

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