Transistor IGBT

MARCO TEÓRICO

Transistor IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

PROCEDIMIENTO

Equipo y material

• 2 fuentes de CD (110 v y 18 v)
• 1 IGBT IRG4PC40UD
• 1 resistencia eléctrica de ½ watt (1kΩ)
• 1 lampara incandescente.

Se realizara la conexión del IGBT alimentado a 110 v de cd y por el lado del control se alimentara a 18 v de cd.

Primero se conectó el IGBT y después su alimentación, el profesor nos demostró que cuando la fuente se aterriza a tierra se acciona nuestro IGBT, y cuando esta como circuito abierto se apaga.

Aquí se activó con bajo voltaje

[pic 5]

Aquí se activó con un poco más de voltaje

[pic 6]         [pic 7]

Se midió el voltaje del capacitor.

[pic 8]

 RESULTADOS

Observamos que IGBT funciona de manera que debe de tener un resistencia en el control ya que si no conmuta  no haría su función.

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