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El transistor efecto de campo circuitos de aplicación con MOSFET


Enviado por   •  15 de Marzo de 2023  •  Práctica o problema  •  1.284 Palabras (6 Páginas)  •  47 Visitas

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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

2023-1

[pic 1]

Laboratorio de Dispositivos y Circuitos Electrónicos

[pic 2]

División: Ingeniería Eléctrica

División: Ingeniería Eléctrica

Práctica 11

EL TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO

CIRCUITOS DE APLICACIÓN CON MOSFET

Profesor: Ing. Javier López Velázquez

 

Semestre 2023-1

 

[pic 3]

INTRODUCCIÓN:

Aplicaciones del MOSFET

Polarización del MOSFET

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos

es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos

de funcionamiento con valor positivo de V

GS

 para canal n y valor negativo de

V

GS

 para el canal p. Para tener un valor positivo de V

GS

 de canal n y el valor

negativo de V

GS

 de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo

tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para

mejorar el tipo MOSFET.

Polarización del MOSFET

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos

es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos

de funcionamiento con valor positivo de V

GS

 para canal n y valor negativo de

V

GS

 para el canal p. Para tener un valor positivo de V

GS

 de canal n y el valor

negativo de V

GS

 de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo

tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para

mejorar el tipo MOSFET.

Polarización del MOSFET

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos

es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos

de funcionamiento con valor positivo de V

GS

 para canal n y valor negativo de

V

GS

 para el canal p. Para tener un valor positivo de V

GS

 de canal n y el valor

negativo de V

GS

 de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo

tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para

mejorar el tipo MOSFET.

Polarización del MOSFET

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos

es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos

de funcionamiento con valor positivo de V

GS

 para canal n y valor negativo de

V

GS

 para el canal p. Para tener un valor positivo de V

GS

 de canal n y el valor

negativo de V

GS

 de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo

tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para

mejorar el tipo MOSFET.

Polarización del MOSFET

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos

es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos

de funcionamiento con valor positivo de V

GS

 para canal n y valor negativo de

V

GS

 para el canal p. Para tener un valor positivo de V

GS

 de canal n y el valor

negativo de V

GS

 de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo

tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para

mejorar el tipo MOSFET.

Polarización del MOSFET

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares al

circuito de polarización utilizada para JFET. La principal diferencia entre ambos

es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos

de funcionamiento con valor positivo de V

GS

 para canal n y valor negativo de

V

GS

 para el canal p. Para tener un valor positivo de V

GS

 de canal n y el valor

negativo de V

GS

 de canal p, es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo

tanto hablamos de recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para

mejorar el tipo MOSFET.

Para que un MOSFET funcione como un interruptor ideal, debe tener las siguientes características

  • En estado ON, debe haber una limitación de la corriente que transporta
  • En el estado OFF, los niveles de tensión de bloqueo no deben tener ninguna limitación
  • Cuando el aparato funciona en estado ON, el valor de la caída de tensión debe ser cero
  • La resistencia en estado OFF debe ser infinita
  • No debe haber limitación de velocidad

Como el mundo no se limita a las aplicaciones ideales, el funcionamiento de los MOSFETs también es aplicable para fines prácticos. En el escenario práctico, el dispositivo debe tener las siguientes propiedades

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