Simulación de las características y propiedades de los transistores de efecto campo

UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS-ESPE

UNIDAD DE GESTIÓN DE TECNOLGÍAS

Electrónica Básica

ELECTROMECÁNICA

1. DATOS INFORMATIVOS

TEMA: Simulación de las características y propiedades de los transistores de efecto campo.                                                                

INTEGRANTES:

-Caiza  Serrano Mateo Andrés

-Vique Steven

-Panchi Alex

DOCENTE: Ing. Andrea Vivanco

1. OBJETIVOS:

• Objetivo General:

• Analizar el funcionamiento del programa Proteus.

• Objetivos Específicos:

• Determinar la funcionabilidad de los transistores de efecto de campo.
• Simular en Proteus el circuito con transistores de efecto campo.

1. INTRODUCCIÓN/MARCO TEÓRICO.

Los transistores de efecto campo (FET) son dispositivos de tres terminales: Fuente (source), drenaje (drain) y puerta (gate) que trabajan controlando la corriente entre el drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta. Al implementar el circuito de los transistores de efecto campo, el estudiante aprenderá las características y propiedades de los mismos, y su aplicación en dispositivos electrónicos.[pic 3]

[pic 4]

Los transistores mas conocidos son los llamados bipolares  (NPNy PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (protones y electrones). Un transistor de efecto campo (fet) típico formato por una barrita de material pon, llamada canal, rodeada en parte de su longitud  por un collar del otro tipo de material que forma el canal una unión p-n.

[pic 5]

[pic 6]

1. MATERIALES

• Computador.
• Programa Proteus.

1. Procedimiento:

Paso1:

Tener instalado y abrir el programa Proteus en un ordenador. 

Paso2:

Conocer el funcionamiento del programa y buscar los componentes electrónicos.

Paso3:

Desarrollar el circuito en el programa con su respectiva simulación.

1. Mediciones y gráficos   [pic 7]

[pic 8]

[pic 9][pic 10]

[pic 11][pic 12]

1. Conclusiones:

• Como resultado el programa ayuda evitar posibles errores humanos en las practicas físicas y así no efectuar daños

• De acuerdo con la simulación se determinó el funcionamiento de los transistores de efecto de campo

1. Recomendaciones:

•  Se recomienda  descargar el programa en sitios oficiales para que el titulador siga creciendo con nuestra ayuda.
• Después de cada progreso guardar ya que el programa se cierra repentinamente.

...