Sistemas de ampllificacion
Enviado por yoshymontoro • 22 de Abril de 2018 • Trabajo • 432 Palabras (2 Páginas) • 108 Visitas
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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA
DEL ESTADO DE MORELOS.
ALUMNA:
ACEVEDO MONTORO YOSELIN BETZABE.
IET 5° “A”
SISTEMAS DE AMPLIFICACIÓN
EP: 03
Simulaciones de análisis de polarización en CD de transistores BJT.
DOCENTE:
DR. CORNELIO MORALES MORALES.
24 DE FEBRERO DEL 2018
Boulevard Cuauhnáhuac #566 Lomas del Texcal, Jiutepec, Morelos. C.P. 6255
CONTENIDO
1 Objetivo 3
2 Introducción 3
3 Marco Teórico 4
3.1 Transistor BJT 4
3.1.1 Curvas Características 5
3.1.2 Característica de entrada 7
3.1.3 Características de salida 7
3.1.4 Configuración de base común 8
3.2 Transistor JFET 9
4 Ejemplos con transistores BJT en cd 11
4.1.1 Solución 12
5 Conclusión 12
6 Mapa Conceptual 13
7 Referencias 13
Rúbrica de Evaluación de Investigación 14
Las simulaciones se harán con el software Multisim y en cada ejercicio se mostrará una tabla comparativa de los resultados obtenidos en la teoría y en la simulación
Simulación ejercicio 1
Circuito 1
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DATOS | RESULTADOS TEORICOS | RESULTADOS SIMULACION |
VCE | 5.2V | 2.12V |
VE | 3.1V | 4.165V |
Simulación ejercicio 2 (método aproximado)
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DATOS | RESULTADOS TEORICOS | RESULTADOS SIMULACION |
IC | 2.427mA | 2.386mA |
VCE | 7.56V | 7.739V |
IB | 20.225µA | 12.879µA |
VB | 3.122V | 3.039V |
Simulación ejercicio 3 (método exacto)
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DATOS | RESULTADOS TEORICOS | RESULTADOS SIMULACION |
IC | 2.279mA | 2.386mA |
VCE | 8.2V | 7.739V |
IB | 18.994µA | 12.879µA |
VB | 2.979V | 3.039V |
Simulación ejercicio 4
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DATOS | RESULTADOS TEORICOS | RESULTADOS SIMULACION |
IB | 15.885µA | |
IC | 1.906mA | |
VC | 9.138V |
Simulación ejercicio 5
[pic 13]
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DATOS | RESULTADOS TEORICOS | RESULTADOS SIMULACION |
VE | 3.3V | 3.989V |
VC | 11.95V | 10.687V |
IB | 24.091µA | 18.652µA |
IC | 2.75mA | 3.27mA |
VCE | 8.65V | 6.698V |
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