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Sistemas de ampllificacion


Enviado por   •  22 de Abril de 2018  •  Trabajo  •  432 Palabras (2 Páginas)  •  108 Visitas

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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA

DEL ESTADO DE MORELOS.

ALUMNA:

ACEVEDO MONTORO YOSELIN BETZABE.

IET 5°  “A”

SISTEMAS DE AMPLIFICACIÓN

EP: 03

Simulaciones de análisis de polarización en CD de transistores BJT.

 

DOCENTE:

DR. CORNELIO MORALES MORALES.

24 DE FEBRERO DEL 2018
Boulevard Cuauhnáhuac #566 Lomas del Texcal, Jiutepec, Morelos. C.P. 6255

CONTENIDO

1        Objetivo        3

2        Introducción        3

3        Marco Teórico        4

3.1        Transistor BJT        4

3.1.1        Curvas Características        5

3.1.2        Característica de entrada        7

3.1.3        Características de salida        7

3.1.4        Configuración de base común        8

3.2        Transistor JFET        9

4        Ejemplos con transistores BJT en cd        11

4.1.1        Solución        12

5        Conclusión        12

6        Mapa Conceptual        13

7        Referencias        13

Rúbrica de Evaluación de Investigación        14

Las simulaciones se harán con el software Multisim y en cada ejercicio se mostrará una tabla comparativa de los resultados obtenidos en la teoría y en la simulación

  1. Simulación ejercicio 1

Circuito 1

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DATOS

RESULTADOS TEORICOS

RESULTADOS SIMULACION

VCE

5.2V

2.12V

VE

3.1V

4.165V

  1. Simulación ejercicio 2  (método aproximado)

[pic 7]

[pic 8]

DATOS

RESULTADOS TEORICOS

RESULTADOS SIMULACION

IC

2.427mA

2.386mA

VCE

7.56V

7.739V

IB

20.225µA

12.879µA

VB

3.122V

3.039V

  1. Simulación ejercicio 3 (método exacto)

[pic 9]

[pic 10]

DATOS

RESULTADOS TEORICOS

RESULTADOS SIMULACION

IC

2.279mA

2.386mA

VCE

8.2V

7.739V

IB

18.994µA

12.879µA

VB

2.979V

3.039V

  1. Simulación ejercicio 4

[pic 11]

[pic 12]

DATOS

RESULTADOS TEORICOS

RESULTADOS SIMULACION

IB

15.885µA

IC

1.906mA

VC

9.138V

  1. Simulación ejercicio 5

[pic 13]

[pic 14]

[pic 15]

DATOS

RESULTADOS TEORICOS

RESULTADOS SIMULACION

VE

3.3V

3.989V

VC

11.95V

10.687V

IB

24.091µA

18.652µA

IC

2.75mA

3.27mA

VCE

8.65V

6.698V

...

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