Tipos de memorias, definición y estructura
Enviado por madara123 • 29 de Abril de 2017 • Trabajo • 1.152 Palabras (5 Páginas) • 302 Visitas
MROM
- DEFINICION.
Es un tipo de ROM (memoria de solo lectura) programada por mascarilla por el fabricante, según las especificaciones del cliente.
- ESTRUCTURA DE UNA CELDA DE MEMORIA MROM BIPOLAR.
[pic 1]
- ¿CÓMO SE GUARDA UN BIT?
Únicamente se puede guardar un bit, durante la fabricación de la MROM, se utiliza un negativo fotográfico para controlar las conexiones eléctricas del circuito. Después ya no se puede guardar debido a que es una memoria OTP (One Time Programming).
- ¿CÓMO SE BORRA UN BIT?
No se puede borrar porque es una memoria OTP (One Time Programming).
- TECNOLOGÍAS.
Bipolar y MOS.
- APLICACIONES.
Debido a que son muy costosas son utilizadas cuando se requiere una cantidad considerable de la misma y aplicaciones donde se desea almacenar información que se utiliza en el desarrollo de algunas funciones como fórmulas matemáticas.
PROM
- DEFINICION.
Es una memoria ROM con conexión fusible que no se programa durante el proceso de manufacturación sino que son programadas por el usuario, sin embargo son programables una sola vez al igual que las MROM.
- ESTRUCTURA DE UNA CELDA DE MEMORIA.
[pic 2]
- ¿CÓMO SE GUARDA UN BIT?
Se aplica un alto voltaje en la base (19 - 25V) para generar un flujo corriente muy alto que ocasionara que la conexión fusible se habrá forma semejante a cuando se funde el fusible (quemar la conexión fusible).
- ¿CÓMO SE BORRA UN BIT?
No se puede borrar ya que una vez que se funde el fusible, la base del transistor ya no puede ser conectada.
- TECNOLOGÍAS.
Bipolar y MOS.
- APLICACIONES.
Para aplicaciones de bajo volumen, como conversión de códigos y controladores secuenciales.
EPROM
- DEFINICION.
Es un tipo de memoria PROM no volátil, puede ser programada y después ser borrada por el usuario, para ser reprogramada posteriormente. Una vez programada, la EPROM es una memoria no volátil que contendrá sus datos almacenados indefinidamente.
- ESTRUCTURA DE UNA CELDA DE MEMORIA.
[pic 3]
- ¿CÓMO SE GUARDA UN BIT?
El proceso para programar una EPROM implica la aplicación de niveles de voltaje especiales (comúnmente en el orden de 10 a 25 V) a las entradas adecuadas del circuito en una cantidad de tiempo especificada (por lo general 50 ms por localidad de dirección). Los transistores MOSFET que tienen una compuerta de silicio sin ninguna conexión eléctrica (es decir, una compuerta flotante). En su estado normal, cada transistor está apagado y cada celda guarda un 1 1ógico.
El transistor puede encenderse mediante la aplicación de un pulso de programación de alto voltaje, el cual inyecta electrones de alta energía en la región formada por la compuerta flotante. Estos electrones permanecen en esta región una vez que ha finalizado el pulso ya que no existe ninguna trayectoria de descarga. Esto mantiene al transistor encendido de manera permanente, aun cuando se retire la potencia de alimentación del dispositivo; con esto la celda guarda ahora un 0 lógico.
- ¿CÓMO SE BORRA UN BIT?
Se puede borrar su contenido exponiendo la EPROM a la luz ultravioleta (UV), la cual se aplica a través de la ventana que se encuentra sobre el encapsulado del circuito. La luz UV produce una fotocorriente que va desde la compuerta flotante hacia el sustrato de silicio; con esto se apaga el transistor y se lleva de nuevo a la celda hacia el estado 1 1ógico. El proceso de borrado requiere entre 15 y 30 minutos de exposición a los rayos UV.
- TECNOLOGÍAS.
MOS.
- APLICACIONES.
Para desarrollar prototipos.
EEPROM
- DEFINICION.
Memoria PROM eléctricamente borrable no volátil. La EEPROM aprovecha la misma estructura de compuerta flotante de la EPROM. Agrega la característica de borrado eléctrico a través de la adición de una delgada región de óxido arriba del drenaje de la celda de memoria MOSFET. Tiene la capacidad de borrar y reprogramar eléctricamente palabras individuales en el arreglo de la memoria.
- ESTRUCTURA DE UNA CELDA DE MEMORIA.
[pic 4]
- ¿CÓMO SE GUARDA UN BIT?
Aplicando un voltaje ALTO (21 V) entre la compuerta y la fuente del MOSFET, puede inducirse una carga en la compuerta flotante, donde permanecerá aun cuando se suspenda el suministro de energía.
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