A diferencia de los transistores BJT, que son controlados por la corriente de base, los transistores son controlados
Enviado por cristianicen • 31 de Marzo de 2016 • Apuntes • 592 Palabras (3 Páginas) • 534 Visitas
Introducción
• A diferencia de los transistores BJT, que son controlados
por la corriente de base, los transistores son controlados
por voltaje.
• El FET es un dispositivo unipolar que depende
únicamente de electrones (canal-n) o huecos (canal-p)
Introducción (II)
• En el FET el campo eléctrico se establecen mediante las cargas
presentes que controlarán la trayectoria de conducción del circuito
de salida, sin necesidad de un contacto directo entre las cantidades
controladoras y controladas.
• Poseen alta impedancia de entrada.
• Son más estables a temperatura y más pequeños que le BJT.
• Tipos más conocidos de FET (Field Effect Transistor)
– JFET : Junction Field Effect Transistor
– MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Construcción y Características de
los JFET
• Es básicamente un dispositivo de tres terminales: drain, gait y
source
Funcionamiento
• VGS = 0v, VDS algún valor positivo.
Funcionamiento (II)
• VGS = 0v, VDS algún valor positivo (cont.)
Voltaje de estrechamiento (Vp) – Pinch off.
• Para VDS > Vp el JFET se comporta como una fuente de corriente
• IDSS es la corriente máxima de drenaje para un JFET y está
definida mediante las condiciones VGS = 0v y VDS > |Vp|
Funcionamiento (III)
• VGS < 0v
Genera el mismo efecto que
el caso anterior pero con un
VDS menor.
Cuando VGS = - Vp, éste
será lo suficientemente
pequeño como para
establecer un nivel de
saturación que será en
esencia 0mA.
Funcionamiento (IV)
• VGS < 0v (cont.)
El nivel de VGS que da
por resultado ID = 0mA
se encuentra definido
por VGS = Vp, siendo
Vp un voltaje negativo
para los dispositivos
de canal-n y un voltaje
positivo para los JFET
de canal-p
Características Importantes
• Resistor Controlado por Voltaje
• Dispositivos de canal-p
Características Importantes (II)
• Símbolos
• Resumen
Transferencia
• Derivación
Para el transistor BJT el parámetro de salida (Ic) y el
parámetro de entrada (IB) están relacionados de la
forma:
En el caso del transistor JFET la relación entrada salida
no es lineal y es de la forma:
Transferencia (II)
• Las características de transferencia por la ecuación de Shockley no
resultan afectadas por la red en la cual
...