Transistores Bjt

INTRODUCCION

Siguiendo con el estudio de los dispositivos electrónicos vamos a avanzar un paso más y vamos a estudiar un dispositivo semiconductor que consta de tres zonas distintas, con dos uniones pn y con un terminal en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo, estamos ante un dispositivo de tres terminales: El transistor.

Sin ninguna duda, estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado un punto de inflexión en la historia de la Humanidad, como en su día lo fueron el descubrimiento del fuego, la invención de la rueda o la máquina de vapor entre otros. El descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marcó el comienzo de la era de la electrónica. En apenas 60 años el desarrollo experimentado y el grado de penetración en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en día es difícil pensar en cómo sería la vida sin los ordenadores, la telefonía, la radio, la televisión…Y ha sido, precisamente, el descubrimiento del transistor el “culpable” de esta revolución tecnológica.

Liz: QUE SON LOS TRANSISTORES

Es un semiconductor de germanio o silicio que presenta tres zonas distintas se trata de uniones PNP o NPN, denominándose así transistores PNP o transistores NPN; los transistores se componen de tres patas las cuales son denominadas emisor situado a la izquierda de la base, base en la zona central o de unión, colector situado a la derecha de la base. Como ya se mencionaba, un transistor está conformado por tres partes. Una de ellas es la que se encarga de emitir electrones, por lo tanto, es el emisor. Una segunda parte es la que los recibe, el denominado colector, y por último, una tercera parte que opera como un modulador del paso de los electrones.

QUE ES UN TRANSISTOR DE POTENCIA

Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC grande), lo que corresponde a una potencia mayor de 0,5 W. En este tipo de transistores la bcc que se puede obtener en su fabricación suele ser bastante menor que en los de baja potencia (bcc=20/100).

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como característica especial las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

PD= Vce.Ic<0,5W

BJT

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

• Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

• Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

• Colector, de extensión mucho mayor.

La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.

La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el colector.

La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o “colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.

Sentidos de tensiones y corrientes BJT

Carlos: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

La polarización del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a las uniones de emisor-base y colector-base que permitan situar al transistor en la región de funcionamiento adecuada a la aplicación que se persigue, en ausencia de la señal de entrada

Aplicando una señal variable a la unión base-emisor (VBE) obtenemos una corriente de salida,

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