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CARACTERÍSTICAS DE DIODO


Enviado por   •  20 de Mayo de 2018  •  Ensayo  •  1.758 Palabras (8 Páginas)  •  263 Visitas

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CARACTERÍSTICAS DE DIODO

Polo, Jason

9-746-262

jasonpolo2895@gmail.com

Caballero, Yirene

González, Daniel

8-892-787

daniel.gonb16@gmail.com

Resumen. Para esta experiencia de laboratorio presentamos como dos objetivos que son: determinar las caracterísitcas eléctricas de un diodo y presentar la curva i vs v para el diodo con los valores medidos con el equipo de trabajo. Como primer punto se procedió a determinar la resistencia interna de la fuente de poder ajustando el voltaje DC en el circuito descrito por la guía de laboratorio y midiendo el voltaje con un multímetro, además un potenciómetro que sirvio para variar la resistencia. Como segundo punto y tercer punto al circuito original se le añadió un diodo y se observo que caraterísticas presenta,  es decir como se muestra su grafico i vs v y poder ver detalladamente como se observa en el osciloscopio, que tanto se puede regularel voltaje para que la corriente fluya a través del diodo, los voltajes que soportan a medida que va en aumento.

Descriptores: adaptador, diodo, generador, osciloscopio, potenciómetro.

  1. Introducción.

El diodo es un componente electrónico de 2 terminales, tal como un resistor. Es un dispositivo diseñado para que la corriente fluya en un solo sentido, es decir, solamente permite que la corriente vaya en una sola dirección. Esto hace que el diodo tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y otra en contra de la corriente (polarización inversa). El símbolo representativo del diodo en esquemas electrónicos es el siguiente:

[pic 2]

Figura 1. Símbolo representativo del diodo.

La corriente fluye desde el terminal positivo (el ánodo) hasta el terminal negativo (cátodo). De manera física se identifica el cátodo por una franja que se coloca en uno de los extremos.

La curva característica de un diodo presenta algunos elementos como se puede ver a continuación:

Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.

Corriente máxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente máxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es función de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del mismo.

Corriente inversa de saturación (Is ).

Es la pequeña corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formación de pares electrón-hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se duplica por cada incremento de 10 °C en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.

Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha.

 

[pic 3]

Figura 2. Curva característica de un diodo (I vs V)

Dos materiales comúnmente utilizados para los diodos son el germanio y el silicio. Mientras que ambos diodos realizan funciones similares, existen ciertas diferencias entre los dos que deben ser tomadas en consideración antes de instalar uno u otro en un circuito electrónico.

Diodos de silicio

Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a conducir la corriente eléctrica a través de su unión pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unión pn detendrá la conducción de la corriente eléctrica, y el diodo dejará de funcionar como una vía eléctrica. Debido a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son más frecuentes que los diodos de germanio.

Diodos de germanio

Los diodos de germanio también utilizan una unión pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensión de polarización directa de 0,3 voltios. Debido a su rareza, el germanio es más caro, por lo que los diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces más caros) que los diodos de silicio.

  1. Materiales y Métodos

Materiales y Métodos

Para realizar la experiencia se necesitarán los siguientes materiales:

  • 1-Fuente de poder DC variable
  • 1-Fuente de poder AC variable
  • 1- Osciloscopio de dos canales
  • 1- Multímetro digital
  • 1- Termómetro
  • 1- Potenciómetro 10k *En lugar del potenciómetro puede utilizar resistencias individuales de los valores indicados en la Tabla #1  
  • 1- Placa de prueba
  •  Cables de conexión
  • 1- Diodo de silicio

2- Adaptador de 3 a 2 terminales\

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