Cristales

Epitaxia en fase líquida

Es posible hacer crecer cristales de muchos semiconductores de una solución líquida a temperaturas muy por debajo de su punto de fusión. Puesto que una mezcla de los semiconductores; Con un segundo elemento se puede fundir a una temperatura más baja que la propia semiconductor, a menudo es una ventaja para hacer crecer el cristal de la solución a la temperatura de la mezcla. Por ejemplo, el punto de fusión de GaAs es 1238 C, mientras que una mezcla de GaAs con Ga metal tiene un punto de fusión considerablemente menor(dependiendo de las proporciones de la mezcla). Así, un cristal de siembra de GaAs se puede mantener en una solución Ga + GaAs, que es fundido a una temperatura suficientemente baja para que la semilla sí mismo no se funde.

Si la solución se enfría lentamente, una Ga de un solo cristal como capa crece en la semilla. Como el GaAs sale de la solución y crece en la matriz cristalina, la solución se vuelve más rico en Ga y por lo tanto tiene un punto de fusión más bajo. Después de la refrigeración futher, más GaAs deja la solución, y el cristal epitaxial continúa creciendo. Mediante esta técnica cristales individuales pueden ser cultivadas a temperaturas suficientemente bajas como para eliminar muchos problemas de introducción impureza típico de crecimiento a la temperatura de fusión de cristal. Este método es particularmente útil para compuestos III-V en cual Ga o In sirve como el elemento de columna III, puesto que estos metales forman soluciones a temperaturas convenientemente bajas.

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