Cuestionario Circuitos

31.- Describa brevemente que es un transistor bipolar de juntura (TBJ) PNP.

R. Los transistores (TBJ) PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.

32.- Describa brevemente que es un transistor bipolar de juntura (TBJ) NPN.

R. Los transistores (TBJ) NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

33.- Describa brevemente las dos divisiones en que se clasifican los transistores efecto de campo.

R. Transistor de efecto de campo de unión (JFET) y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).

34.- Describa brevemente los transistores efecto de campo (FET).

R. El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

35.- Describa brevemente el transistor efecto de campo de unión canal N (J-FET-N).

R. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.

36.- Describa brevemente el transistor efecto de campo de unión canal P (J-FET-P).

R. Está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flan

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