Grabación de la memoria RAM

Grabación de la memoria RAM

1. Deshabilitar la memora (poner CS a uno)

2. Poner en el bus la dirección en la cual se desea escribir 3. Poner a WR cero y RD a uno.

4. Poner el dato a grabar en el bus de datos.

5. Activar CS (mandarlo a cero con un pulso).

Lectura de la memoria RAM

1. Deshabilitar la memora (poner CS a uno)

2. Poner en el bus la dirección que se desea leer.

3. Poner a WR uno y RD a cero.

4. Asegurarse de que no existan datos en el bus de datos.

5. Activar CS (mandarlo a cero con un pulso).

Grabación de memoria ROM

Llegan del fabricante ya grabadas. El proceso de grabación se hace en el mismo momento de la producción de la memoria, por medio de unas máscaras litográficas. Una vez creada esta máscara o “molde” se emplean en la producción de grandes series. La máscara es muy costosa. Además, cualquier cambio en los datos que se van a grabar supone la realización de una nueva máscara, por lo que los retoques posteriores a la producción de la máscara son muy caros.

Grabado de una EPROM

Las memorias EPROM que se grabarán son de la serie 27xxx, en su versión moderna, con una tensión de grabación de 12.5 v (en el encapsulado de la memoria suele existir información de la tensión de grabación como PGM 12.5).

De la serie 27xxx sólo se grabarán las memorias siguientes: 27256 (32 Kb), 27128 (16 Kb), 2764 (8 Kb), por considerar que esos tamaños son suficientes para almacenar los programas y los datos de pequeñas aplicaciones. Además, los terminales de las 3 memorias tienen funciones muy parecidas, lo que simplifica mucho el hardware a diseñar.

Para grabar una memoria EPROM es necesario utilizar un algoritmo recomendado por los fabricantes de memorias con el fin de acelerar el proceso de grabación de un byte y es el siguiente:

1. Establecer la dirección a grabar en el bus de direcciones de la EPROM.

2. Establecer el dato (byte) a grabar en el bus de datos de la EPROM.

3. Cambiar las tensiones (Vcc de +5 v a + 6.2 v, y Vpp de +5 v a 12.6 v), y poner OE# a 1.

4. Inicializar a 0 un contador de pulsos de grabación aplicados.

5. Generar un pulso de grabación (PGM#) negativo de al menos 1 ms.

6. Incrementar en 1 el número de pulsos aplicados.

7. Si se han aplicado ya 25 pulsos, activar un flag de fin de pulsos aplicados.

8. Leer el byte que se acaba de grabar. Para leer el byte basta con poner la señal OE# a 0 después de desactivar el pulso negativo en PGM#.

9. Compararlo con el byte original.

10. Si son distintos: Si no se han aplicado 25 pulsos, ir a 5; Si se han aplicado los 25 pulsos, dar un mensaje de fallo de la memoria, poner Vcc a +5 v y Vpp a +5 v, y salir.

11. Si son iguales, poner Vcc a +5 v y Vpp a +5 v, y salir.

Para poder realizar el proceso

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