Gráfico Vpot vs Vrint

-INTRODUCCIÓN

El diodo es el más simple de los componentes electrónicos, el cual es un semiconductor electrónico que puede estar compuesto de silicio o de germanio. Éste dispositivo permite la circulación a través de el en un solo sentido. El sentido en el cuál transmite corriente es de la parte más positiva llamada ánodo, hacia la parte más negativa llamada cátodo.

El diodo puede conducir una corriente de dos maneras diferentes: en polarización directa e indirecta. La polarización directa se trata

-PROCEDIMIENTOS Y RESULTADOS

PARTE 1.

Para la realización de esta sección, armamos un circuito con una fuente de poder graduada a 10 Volts y una resistencia variable de 10 KΩ con el objetivo de encontrar la resistencia interna de la fuente.

Potenciómetro (K) Vpot. (V) Irint (A) Vrint (mV)

10 9.97 0.0011 30

8.22 9.98 0.0012 20

6.8 9.98 0.0014 20

5.6 9.97 0.00175 30

4.72 9.98 0.0021 20

2.231 9.98 0.0046 20

1.12 9.58 0.0095 42

A continuación presentamos el gráfico Vpot vs Vrint donde encontraremos el valor de la resistencia interna de la fuente utilizada en el laboratorio.

Los posibles errores de esta experiencia se puede atribuir al mal manejo de la resistencia variable y a que el equipo debió ser más preciso.

Según la ecuación obtenida la resistencia interna de la fuente equivale a de 0.018Ω.

PARTE 2. Determinación de la gráfica Id VS Vd.

En esta parte del laboratorio conectamos la fuente de poder graduada a 10 V, la resistencia variable graduada a 1K y el diodo. Fuimos incrementando el valor de Vd hasta 0.65 V o 0.7 V.

Vd (V) Vr (V) Id (mA)

0.5 0.6 0.6

0.6 3 3

0.65 9.8 9.8

0.68 19.8 19.8

0.69 24 24

Aquí presentamos la gráfica de Id VS Vd.

Parte 3. Determinación de los valores n, Is.

En esta ecuación de la gráfica tenemos la forma Y=Y0 emx en donde m=1/nVt

Para encontrar Vt tenemos lo siguiente: T=25°C lo que equivale a 298K. Por lo tanto,

Vt=((1.3806504x10-23 J/K *298 K))/(1.602176x〖10〗^(-19) °C)=0.025679 J/C

Despejando tenemos: 0.00003=1/(n*0.025679) lo que da como resultado n=1.29. Este valor de 1.29 nos difiere por 0.29 del valor nominal que tiene la N para este material lo cual puede ser debido a los diferentes errores tanto sistemáticos como experimentales de la prueba.

Ahora calculamos Is a partir de los valores de Id y Vd. Para el cual, promediamos Vd=3.11/5=0.622 y a la vez promediamos Id=57.2/5=11.44mA, teniendo ya estas mediciones promediadas procedemos a realizar el cálculo de la corriente de saturación.

i_s=I_d/(e^(Vd/nVt)-1)

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