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PROBLEMAS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS


Enviado por   •  15 de Julio de 2020  •  Apuntes  •  4.388 Palabras (18 Páginas)  •  557 Visitas

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PROBLEMAS DE CIRCUITOS ELECTRONICOS

  1. DIODOS:
  1. En la figura inferior hay un elemento no lineal cuya característica corriente-voltaje viene dado por la expresión:

[pic 1]

[pic 2]

Calcular el voltaje que cae en dicho dispositivo si A =1, vt=0, V1 =12 V y R1= 1 kΩ y R2 = 1 kΩ:[pic 3]

  1. 5,2 v
  2. 1,3 v
  3. 2,6 v
  4. 1,4 v
  5. 2,0 v

  1. Encontrar la recta de carga presentada al elemento desconocido por el circuito resistivo de la figura.[pic 4]
  1. [pic 5]
  2. [pic 6]
  3. [pic 7]
  4. [pic 8]
  5. [pic 9]

  1. Si el diodo Zéner de la figura tiene una tensión de codo de 0,7 V y un voltaje de ruptura Zener de 3 V, hallar su punto de trabajo (Vin = 12 V, R1= 1 kΩ, R2 = 1 kΩ y R3 = 0.5 kΩ)[pic 10]
  1. [pic 11]
  2. [pic 12]
  3. [pic 13]
  4. [pic 14]
  5. [pic 15]
  1. Encontrar el punto de operación del diodo de Si de la figura. (Vin = 12 V, R1= 10 kΩ, R2 = 5 kΩ, R3 = 100 kΩ y R4 = 50 kΩ)[pic 16]
  1. [pic 17]
  2. [pic 18]
  3. [pic 19]
  4. [pic 20]
  5. [pic 21]
  1. Encontrar el punto de operación del diodo de Si de la figura. (Vin = 12 V, R1= 10 k , R2 = 5 k , R3 = 100 k , y R4 = 50 k )

[pic 22]

  1. [pic 23]
  2. [pic 24]
  3. [pic 25]
  4. [pic 26]
  5. [pic 27]

  1. Hallar la función de transferencia del circuito (V in y V out) (R1 = 10 kΩ y Vr = 3V, el voltaje de activación del diodo es 0,7 V).[pic 28]

[pic 29][pic 30]

 [pic 31][pic 32]

[pic 33][pic 34]

[pic 35][pic 36]

[pic 37][pic 38]

  1. Hallar el punto de operación del diodo de la figura. (Vin = 3 V, R1= 1 kΩ, R2 = 21 kΩ y R3 = 3 kΩ

[pic 39]

  1. [pic 40]
  2. [pic 41]
  3. [pic 42]
  4. [pic 43]
  5. [pic 44]

  1. Si la relación entre la intensidad y tensión para un diodo es:

[pic 45]

con VT = 26 mV a temperatura ambiente, calcule el valor de  si I = 1 mA cuando V = 0.65 V[pic 46]

  1. [pic 47]
  2. [pic 48]
  3. [pic 49]
  4. [pic 50]
  5. [pic 51]

  1. Del problema anterior, Si la curva del diodo se aproxima por una recta que pase por el punto (0.65 V, 1 mA) y que tenga la pendiente calculada en el apartado anterior, obtenga el modelo de diodo que representa esa recta.
  1. [pic 52]
  2. [pic 53]
  3. [pic 54]
  4. [pic 55]
  5. [pic 56]
  1. El diodo Zener del circuito de la figura se puede sustituir por un modelo lineal a tramos con Vz = 5 V, rz = 5 Ω, Vu = 0.65 V, rd = 25 Ω. Obtenga el valor de R para que Iz = 1 mA cuando Vi = 8 V:

[pic 57]

  1. [pic 58]
  2. [pic 59]
  3. [pic 60]
  4. [pic 61]
  5. [pic 62]

  1. BJT:
  1. En el circuito mostrado en la figura , se conoce que ICQ = 2 mA; VRE = 6 V y βF = hFE = 100. Determine el punto de operación del transistor y la región de trabajo del mismo.
    Datos: VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V; VCE sat = 0,2 V e ICO = 0.

[pic 63]

  1. [pic 64]
  2. [pic 65]
  3. [pic 66]
  4. [pic 67]
  5. [pic 68]

  1. En el circuito mostrado en la figura, determinar Punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo, con el interruptor S en la posición 1, si ha permanecido en dicha posición tiempo suficiente para alcanzar las condiciones finales.

[pic 69][pic 70]

  1. De la figura anterior, determinar el punto de funcionamiento del BJT y valor de Vo, con el interruptor S en la posición 2, si ha permanecido en dicha posición tiempo suficiente para alcanzar las condiciones finales.

  1. [pic 71]
  2. [pic 72]
  3. [pic 73]
  4. [pic 74]
  5. [pic 75]

  1. De la figura anterior, determinar el Valor de Vo para t = 1mseg. y para t = 10mseg, si en t = 0mseg el interruptor S pasa de la posición 1 a la 2 después de permanecer elevado tiempo en la 1.
  1. 4V
  2. 5V
  3. 6V
  4. 7V
  5. 8V
  1. Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de:
  1. Tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.
  2. Dos terminales, núcleo simple y procesador.
  3. Una terminal, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.
  4. Tres terminales, circuitos simples y procesado de señal.
  5. Núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal.
  1. Los transistores BJT tienen tres regiones de operación, los cuales son:
  1. De corte, Aislación y Contraste
  2. De corte, Activa y Saturación
  3. Lineal, Aislación y Saturación
  4. De corte, Lineal y Colector
  5. Lineal, Colector y Saturación
  1. En el circuito de la figura si α = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de la resistencia R1, para una corriente de emisor 2 mA.

[pic 76]

  1. [pic 77]
  2. [pic 78]
  3. [pic 79]
  4. [pic 80]
  5. [pic 81]

  1. En el circuito de la fig. el transistor tiene una β = 60 . Expresar los valores posibles de VBB para que el transistor se encuentre la zona de corte:

(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuación=0.2 Voltios, VBE saturación=0.8 Voltios, y Corriente inversa de saturación despreciable.)

...

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