Polarización de transistores BJT y FET

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Polarización de transistores BJT y FET

Camargo Felipe   y   Suarez Daniel

{u18028951  y u1802953}@unimilitar.edu.co

Resumen—  Durante la práctica se realizaron montajes con el fin de utilizar conocimientos previos en la elaboración y montaje de diferentes amplificadores y utilidades de los mismos utilizando transistores BJT y FET, durante la practica También se llevó a cabo la elaboración de una tarjeta de relevos que se manejan por medio de optoacopladores, esta puede ser controlada por computador ; durante el procedimiento se comprobó de manera experimental la correspondencia entre los datos obtenidos a partir de un desarrollo teórico y los obtenidos experimentalmente.

Palabras clave amplificador, beta, corriente, ganancia, montaje, simulación, transistor, voltaje.

1. Introducción

El presente informe detallara el procedimiento seguido durante la práctica de laboratorio referente a amplificadores  JFET y MOSFET; en esta se reconocieron algunos aspectos básicos acerca de las características y reglas de diseño para la elaboración de amplificadores a partir de transistores, así mismo se realizaron montajes con el fin de comparar señales de entrada y salida, esto acompañado de los cálculos teóricos que fueron comparados con los datos obtenidos experimentalmente para poder derivar conclusiones a partir de ello.

1. Desarrollo de la práctica

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MODELO EQUIVALENTE

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• Polarizar el circuito con 𝐼𝑐𝑄1=2.5𝑚𝐴 𝐼𝑐𝑄2=1.8𝑚𝐴 𝑉𝑐𝑒𝑄1=1.1 𝑉 𝑉𝑐𝑒𝑄2=1.8 𝑉, utilice 𝑍𝑖𝑄1≥10𝐾Ω, 𝑍𝑖𝑂2≤ 1𝐾Ω, calcular los valores de resistencias realizar un programa en Matlab que realice estos cálculos. Simule el circuito con los resultados de resistencias obtenidos y determine la ganancia en voltaje de cada una de las etapas y la ganancia total del circuito.

Datos con MATLAB

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Figura 2. Datos MATLAB

También se simulo el circuito usando proteos, con este se realizaron cambios en las betas de los transistores a la hora de correr el programa de MATLAB.

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Figura 3. Simulación

Amplificador de corriente

• Diseñar un amplificador de corriente con ganancia en corriente 𝐴𝑖≥100. La resistencia de carga 𝑅𝐿≤10Ω, 𝑍𝑖≥1𝐾Ω. Puede seleccionar algunos de los circuitos que aparecen en la figura 2, o cualquier circuito buffer de corriente.

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SI R2 = 22000

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R1 = 3.9K

R1 = 3.9K , R2 = 22K  

RTH = 3340 , VTH = 3.5v

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