Componentes electrónicos

Jonathan Andrés Vásquez Valle

110983

UJT

SENA

Tatan.javv@hotmail.com

javtatan@misena.edu.co

Resumen

Los tiristores son componentes electrónicos constituidos por elementos semiconductores que utilizan realimentación interna para producir una conmutación. En el caso del transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2).

Palabras Clave: SCR, transistor, UJT, Símbolo,

Objetivos

Mostrar características del UJT

Mostrar el funcionamiento básico.

Realizar explicación y práctica del dispositivo a través de un circuito de relajación.

CONTENIDO

Resumen

Palabras clave

Objetivos

Contenido

Introducción

UJT (unijuntion transistor)

Funcionamiento UJT

Región de corte

Región de resistencia negativa.

Región de saturación.

Oscilador de relajación de un UJT.

Funcionamiento del circuito.

1. Introducción

La electrónica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseño y a su función en el control. Podemos realizar una conmutación u oscilación y cambiar su estado. En este trabajo se expondrá lo básico de este elemento de circuito, que es más. Además mediante la experiencia podremos comprender su funcionamiento, a medida que explicamos el tema.

Figura 1. Representación del UJT, donde esta: la estructura interna, circuito equivalente y sus símbolos (P y N).

Particularizando en la versión tipo N, cabe decir, que el UJT representa una resistencia entre las dos bases (RBB) que a efectos del terminal emisor, se comporta como un divisor de tensión formado por las secciones correspondientes al tramo comprendido entre B2 y E(emisor), y entre E y B1, denominadas RB1 y RB2 respectivamente. Un parámetro denominado Eta (), define la relación entre ellas:

=R_b1/R_BB =R_B1/R_(B1+R_B2 )

=ETA

2. UJT

El UJT o transistor uniunión, es un elemento semiconductor que consta de una barra de silicio tipo N en cuyos extremos se obtienen los terminales: base 2 (B2) y base 1 (B1), el cual se le añade un material tipo P en las proximidades de la base 2, convirtiéndose en el Emisor.

3. Funcionamiento

Este dispositivo se comporta como un SCR. En un grafico (Figura 2), se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos críticos: punto de pico (VP, IP) y punto de valle (VV, IV), ambos verifican la condición de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación.

Figura 2. Características eléctricas de un UJT.

3.1 Región de corte.

La tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación:

donde la VF varía entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25ºC. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.

3.2 Región de resistencia negativa.

Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta región, la corriente de emisor está comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).

3.3 Región de saturación.

Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE

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