INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES LABORATORIO DE MICROONDAS

REPÚBLICA BOLIVARIA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA

DE LA FUERZA ARMADA

INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES

LABORATORIO DE MICROONDAS

SEXTO SEMESTRE

SECCIÓN D02

PRÁCTICA # 2

OSCILADOR GUNN

Integrantes:

Otto Arias, CI: 20034937

Carlos Mora, CI: 21412187

Caracas, Abril de 2012.

INTRODUCCIÓN

Los osciladores dentro de la electrónica son circuitos capaces de convertir una corriente continua en una corriente variante en el tiempo de manera periódica, pero básicamente se entiende por oscilador a un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios periódicos en un medio, ya sea ondas de radio, microondas, infrarrojo, etc.

El efecto Gunn sirve para poder crear oscilaciones en el rango de microondas en materiales semiconductores, esta característica la posee el Arseniuro de galio, que es un compuesto de galio y arsénico, este efecto es una propiedad de los materiales semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los valores de tensión y corriente, ni tampoco sufre alteraciones por campos magnéticos. Cuando se le es aplicado una pequeña tensión continua por medio de una placa delgada de GaAs presentará características de resistencia negativa (siempre y cuando se use una tensión mayor a 3,3 V/cm), si conectamos la placa a una cavidad resonante comenzaran a producirse oscilaciones y entonces todo el conjunto se podrá usar como oscilador

En esta práctica estudiaremos el comportamiento del oscilador Gunn, el funciona debido a la transferencia de electrones que hay dentro de un cristal de Arseniuro de galio, en el componente se mueve durante cada ciclo de la corriente oscilante una carga espacial a través del material semiconductor desde el cátodo hacia el ánodo, así el funcionamiento va unido a un efecto de tiempo de tránsito. El diodo Gunn es implementado en una cavidad resonante para generar microondas, en la actualidad el uso del diodo gunn en el diseño de osciladores ha tomado importancia gracias al uso de Nitruro de galio (GaN), este material es semiconductor de banda ancha que presenta zonas de movilidad diferenciales negativa a campos elevados, en la cual se producen transferencias a valles satelitales muchísimo más rápidos que las obtenidas con el GaAs. Con el uso del GaN podemos crear osciladores superiores que posean una frecuencia de corte de 1 THz. Los diodos Gunn GaAs suelen fabricarse para un rango de frecuencia entre 5 GHz hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro de galio pueden alcanzar los 3 THz

• Efecto Gunn

Fue descubierto por J. B Gunn en 1963, este efecto da la posibilidad de generar oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores, Gunn fue capaz de encontrar esta característica en el Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fosfuro de Indio (InP). No depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos. El GaAs es capaz de producir características de resistencia negativa si es sometido a un voltaje de 3,3 V/cm, ahora si conectamos el material a una cavidad resonante se empezaran a producir oscilaciones, y podremos usar el conjunto como un oscilador. Este efecto Gunn solo está presente en los materiales tipo N que poseen exceso de electrones y las

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