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Enviado por   •  5 de Abril de 2020  •  Informe  •  1.699 Palabras (7 Páginas)  •  109 Visitas

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INFORME DE LABORATORIO # 1
[pic 1]

INTEGRANTES:

Juan Eduardo Sandoval Bohorquéz – 2013219077

Jesús enrique Escorcia polo – 2015219032

Víctor Alfonso Fernández Hoyos - 2014219036

GRUPO: 4

DOCENTE:

Ing. Víctor José Olivero Ortiz

SANTA MARTA D.T.C.H.

UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA

PROGRAMA DE INGENIERÍA

ELECTRÓNICA 2

05/03/2019

INTRODUCCIÓN

Transistor de Unión Bipolar (BJT) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla las otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación, regulación de potencia y como interruptores. El transistor de unión bipolar (BJT) está formado por la unión de dos semiconductores tipo n y uno tipo p, o dos tipos p y uno tipo n. Se conoce como transistor bipolar ya que la corriente es producida tanto por electrones como por huecos. La figura 1 muestra la construcción de un BJT tipo npn (dos semiconductores tipo n separados por un semiconductor tipo p) y su correspondiente símbolo esquemático. Los terminales del transistor se identifican como Colector (C), Emisor (E) y Base (B). La figura 2 muestra un BJT tipo pnp.

[pic 2][pic 3]

Figura 1. BJT tipo npn                         Figura 2. BJT tipo pnp

[pic 4]        [pic 5]

Curvas Características de BJT

 La operación del transistor se obtiene polarizando las uniones pn o np. La figura 6 muestra un circuito polarizado en configuración “Emisor Común”. Las curvas características de la entrada del Emisor Común son las curvas de IB versus VBE para distintos valores de VCE. Como usted puede deducir del circuito, estas curvas se comportan como las curvas características de un diodo.


MATERIALES UTILIZADOS

  • Osciloscopio.

[pic 6]

  • Generador A F.

[pic 7]

  • Multiprobador digital.

[pic 8]

  • Fuente de poder dual.

[pic 9]

  • Transistor 2N3904

[pic 10]

  • Resistencias (4,7Kohm, 33Kohm, 3,6Kohm, 390ohm)[pic 11]

  • Capacitores (100uf-x2, 47uf)[pic 12]
  • Protoboard[pic 13]

 


PROCEDIMIENTO

  1. Se calculan los valores del amplificador con una configuración EC (Emisor Común), Se tiene una polarización en divisor de voltaje.

Se toman los valores para VCC, RC Y RL, siendo esto:

VCC = 12V

RC = 3.6Kohm

RL = 3.6kohm

Beta = 100

Transistor NPN = 2N3904

Ganancia del voltaje = -5


[pic 14]

  1. Se procede a calcular los valores de R1, R2, Resistencia de entrada, Resistencia de salida, voltaje pico a pico para su máxima excursión de señal y la ganancia de corriente.

  • Valores establecidos anteriormente.

Vcc=12v                β=100         RL=3,6kΩ

CALCULOS

  • [pic 15]
  • [pic 16]
  • [pic 17]

Se continúa con los cálculos

  • [pic 18]

De donde se despeja Re.

  • [pic 19]
  • [pic 20]
  • [pic 21]
  •  3,9 KΩ[pic 22]
  •         (1)[pic 23]
  •         (2)
    [pic 24]
  • [pic 25]

Pero:

  • [pic 26]
  •  [pic 27][pic 28]
  • [pic 29]
  • [pic 30]
  • [pic 31]
  • [pic 32]
  • [pic 33]

De (1) y (2) despejamos (R1+R2) y los igualamos.

  [pic 34]

  • [pic 35]
  • R2 = 33KΩ (Valor Comercial)

De (2) tenemos.

  • [pic 36]
  •  [pic 37]
  •  (Valor Comercial)[pic 38]


RESULTADOS Y ANÁLISIS

  1. Valores de los componentes ya calculados que se utilizaron en el montaje del amplificador. Esto incluye valores de resistencias, capacitores y fuentes de alimentación.

Componente

Valor/Referencia

R1

4,7k ohm

R2

33K ohm

RC

3,6k ohm

RL

3,6k ohm

RE

390 ohm

C1

100uf

C2

40uf

CE

100uf

HFE

100

VCC

12v

RB

3,9 K

FRECUENCIA

500 Hz

...

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