Paper 1 electronica y su introduccion a la ciencia
Enviado por JuliAn NavarRo • 20 de Octubre de 2015 • Práctica o problema • 620 Palabras (3 Páginas) • 79 Visitas
Introducción[pic 3][pic 4]
El análisis o diseño de un amplificador a transistor requiere conocimientos tanto de la respuesta del sistema en DC como en AC. A menudo se piensa que el transistor es un dispositivo mágico que puede elevar el nivel de una señal de AC de entrada sin la ayuda de una fuente de energía externa. En realidad, el nivel de la potencia de la salida AC mejorado es el resultado de una transferencia de energía proveniente de las fuentes de DC aplicadas. Por esta razón, el análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico posee dos componentes: la porción de DC y la porción de AC.
- OBETIVOS
1. Determinar los parámetros característicos del transistor de manera experimental utilizando como referente la hoja de especificaciones del fabricante (Vp = VGS con ID = 0), (IDSS con VGS = 0). Con base en estos parámetros determinar la región de operación del JFET.
2. Integrar los conocimientos adquiridos en las diferentes asignaturas teóricas y prácticas vistas durante la carrera, en el diseño y desarrollo de proyectos.
3. Utilizar ORCAD para la simulación de cada uno de los parámetros más importantes de los amplificadores multietapa.
DISEÑO AMPLIFICADOR
Diseñar, simular e implementar un amplificador con las siguientes características:
a) Ganancia de voltaje 22-25
b) Fuente de alimentación de 15v.
c) Resistencia de entrada mayor que150 KΩ.
e) Resistencia de salida entre 1k Ω. a 2k Ω.
DISEÑAREMOS UN AMPLIFICADOR DE DOS ETAPAS
ETAPA 2 (ETAPA DE SALIDA)
Parámetros establecidos para el diseño
AV= -5
VDD=15
RL=2K
RG=150K
Vin=50mv
CARACTERIZACION DEL TRANSISTOR
Vp= -1.2
Idss= 4.38ma
Idq= 2.19ma Vdsq= 7.5 Vgsq= -0.36
gm= 5.183ma
K1= 3.42k
Análisis y Diseño
De la fórmula de la ganancia para una configuración fuente común despejamos RD
[pic 5]
[pic 6]
Hallando RD ingresando los valores de nuestro transistor en la cuadrática obtenemos que:
[pic 7]
Luego hallamos RS y VGG
[pic 8]
[pic 9]
VGG= -0.2286
Ahora como VGG es negativo y el Vdd positivo hacemos R2=∞ y VGG= 0
[pic 10]
RScd = 164Ω
R1 = RG= 150KΩ
ETAPA 1 ENTRADA AMPLIFICADOR
Parámetros establecidos para el diseño
AV= -6
VDD=15
RL=2K
RG=330K
Vin=50mv
CARACTERIZACION DEL TRANSISTOR
Vp= -1.4
Idss= 4.54ma
Idq= 2.27ma Vdsq= 7.5 Vgsq= -0.42
gm= 5.183ma
K1= 3.42k
Análisis y Diseño
De la fórmula de la ganancia para una configuración fuente común despejamos RD
[pic 11]
[pic 12]
Hallando RD ingresando los valores de nuestro transistor en la cuadrática obtenemos que:
[pic 13]
Luego hallamos RS y VGG
[pic 14]
[pic 15]
VGG= 0.2087
Ahora como VGG es positivo y el Vdd positivo
[pic 16]
[pic 17]
AMPLIFICADOR CON SUS RESISTENCIAS
[pic 18]
TABLAS DE RESULTADOS
PARAMETROS EN DC DEL JFET | |||
Variable | Teórico | Simulado | Experimental |
VP | -1.2 | -1.2 | -1.2 |
IDss | 4.38ma | 4.65ma | 4.38ma |
VDss | 6.2 v | 6.98v | 7.2v |
PARAMETROS EN DC DEL DISEÑO AMPLIFICADOR | |||
Idq | 2.19mA | 2.34mA | 2.25mA |
Vds | 7.5v | 6.98 V | 7.2V |
Vgs | -036v | -0.37v | -0.354 |
ANALISIS EN AC | |||
Ri | 334KΩ | 330KΩ | 330KΩ |
Ro | 2KΩ | 2KΩ | 2KΩ |
AV | 30 | 23.3 | 22.2 |
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