REVISION DE PRESABERES
Enviado por caballerorojo • 22 de Octubre de 2013 • 391 Palabras (2 Páginas) • 719 Visitas
Act 1: Revisión de presaberes
Revisión del intento 1
Comenzado el lunes, 2 de septiembre de 2013, 20:31
Completado el lunes, 2 de septiembre de 2013, 21:16
Tiempo empleado 44 minutos 49 segundos
Puntos 5/6
Calificación 8.3 de un máximo de 10 (83%)
Question1
Puntos: 1
Una de las siguientes características corresponde al FET:
Seleccione una respuesta.
a. Genera un nivel de ruido mayor que los BJT.
b. Es menos vulnerable al daño por electricidad estática.
c. Presenta una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada. Es correcta.
d. Se comporta como resistencia controlada por tensión para valores grandes de tensión drenaje - fuente.
Correcto
Puntos para este envío: 1/1.
Question2
Puntos: 1
La corriente de emisor, en un transistor bipolar, corresponde a una de las siguientes opociones:
Seleccione una respuesta.
a. El producto de beta por la corriente de colector.
b. El doble de la corriente de colector.
c. La suma de las corrientes de base y colector. Es correcta
d. La diferencia entre las corrientes de colector y de base.
Correcto
Puntos para este envío: 1/1.
Question3
Puntos: 1
En la operación de los tubos al vacío se produce desprendimiento de electrones desde una superficie metálica caliente. Este fenómeno se denomina:
Seleccione una respuesta.
a. Efecto Doppler
b. Efecto fotoeléctrico
c. Efecto Thomson No es correcta
d. Efecto Edison
Incorrecto
Puntos para este envío: 0/1.
Question4
Puntos: 1
La ley que describe las fuerzas generadas entre cargas eléctricas, se conoce con el nombre de:
Seleccione una respuesta.
a. Ley de Watt.
b. Ley de Coulomb Es correcta
c. Ley de Faraday
d. Ley de Maxwell
Correcto
Puntos para este envío: 1/1.
Question5
Puntos: 1
Los terminales de un FET se llaman:
Seleccione una respuesta.
a. Emisor, compuerta y drenador.
b. Base, dreanador y fuente.
c. Compuerta, drenador y fuente. Es correcta.
d. Colector, compuerta y fuente.
Correcto
Puntos para este envío: 1/1.
Question6
Puntos: 1
En la fabricación de transistores, el proceso de incorporar impurezas a la pastilla de silicio (o germanio) se denomina:
Seleccione una respuesta.
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