Transistores de Efecto de Campo FET

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DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD

Lee atentamente la información que se presenta. Analízala de acuerdo con los contenidos revisados en la semana y desarrolla la actividad evaluativa.

Para un proyecto universitario se necesita fabricar transistores FET de diferentes tipos, por lo cual el profesor a cargo del proyecto te ha pedido que identifiques los elementos característicos, así como los detalles constructivos y otros elementos asociados; si consigues hacerlo, en un futuro cercano podrás formar parte del equipo de diseño de circuitos de la universidad, quienes utilizan este tipo de transistor.

El jefe de proyecto te pide explicar un número determinado de puntos que permitirán al equipo ejercitar sus conocimientos al respecto, previo al diseño final del que se harán cargo.

A continuación, responde:

1. En primer lugar, se presenta un incidente al momento de fabricar el transistor en una oblea de silicio, por tanto, se decide tomar de la sección transversal del transistor una muestra, para lo cual se te pide puedas identificar el tipo de transistor construido y sus diferentes partes, como se muestra en la figura

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1. A fin de probar la calidad de los transistores fabricados, se te pide puedas calcular los valores de ID, VGS, VDS, VS, VG y VD de un circuito de polarización fija para transistor FET. ¿Cuál dirías que es la principal diferencia operativa en este tipo de polarización, respecto a la polarización por división de tensión?

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Esta polarización determina el punto Q de reposo del transistor para unos valores dados de Vcc, RB y RC. Es el circuito más sencillo, pero también el más inestable con las variaciones de la temperatura. La ventaja de la polarización por división de tensión, radica en que el circuito genera niveles de corriente análogas con mayor cantidad de resistencia RS, lo que produce una disminución de la dispersión.

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1. Por último, se te pide que opines sobre cuál es la principal diferencia entre un transistor MOSFET de empobrecimiento respecto a uno de enriquecimiento, considerando lo relativo al tipo de canal que utiliza (tipo N o P) y su nivel de impurificación.

La principal diferencia entre ambos es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento, equivale a un interruptor cerrado, para asegurar el funcionamiento de este es necesario que se produzca tensión entre puerta y fuente (Vgs), a fin de que empiece a conducir. Al igual que ocurre con el MOSFET de empobrecimiento, el de enriquecimiento también puede ser de tipo canal N o canal P.  Este MOSFET, basan su principio de funcionamiento en la creación de un canal de conducción entre el drenador y el surtidor al aplicar una tensión en la compuerta, este tipo de polarización hace que el MOSFET pueda funcionar en zona de corriente constante o activa.

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