RESISTENCIA VARIABLE A LA LUZ, LDR

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LAZARO CARDENAS, MICHOACÁN. A 5 DE OCTUBRE DEL 2017.

INTRODUCCION

La fotorresistencia es un material semiconductor sensible a la luz. Varía su resistencia interna en función de la luz incidente sobre ella. Se le llama RESISTENCIA VARIABLE A LA LUZ, LDR por sus siglas en inglés. La resistencia estará en función a la variación de la cantidad de portadores de carga disponibles producidos por la luz incidente. depende de la MOVILIDAD de dichos portadores de carga. La variación de la resistencia interna del material semiconductor que forma a la fotorresistencia depende de la luz incidente y del material que la compone. En estos dispositivos la corriente térmica inducida debe ser mucho menor que la corriente ópticamente inducida. La corriente de oscuridad afecta poco el comportamiento de la fotorresistencia.

La resistencia del material semiconductor disminuye como resultado de la creación de pares electrón-hueco cuando la energía de los fotones incidentes es mayor al Potencial de Barrera de la banda prohibida, Eg.

Los electrones liberados están disponibles en la banda de conducción como portadores de carga.

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SIMBOLO

[pic 11]FIG. 1.2-2a

Fotorresistencia[pic 12]

FIG. 1 Fotorresistencia

La mayoría de las Fotorresistencias se elaboran de la siguiente manera:

se toma un sustrato aislante de cerámica o vidrio se recubre, por evaporación al vacío, de una capa muy delgada del material semiconductor fotosensible utilizado se colocan dos electrodos o pines de oro o de plata en los cuales se soldarán las conexiones externas. el conjunto se protege mediante una cápsula metálica con una cubierta de vidrio o bien una capa de material transparente, a manera de barniz, que la protegerán del exterior.

El estudio de la fotorresistencia se remonta al año de 1873 cuando Willoughby Smith descubrió como afectaba la luz al hacerla incidir sobre el silicio.

Pero fue hasta finales de la II Guerra Mundial cuando se llevaron a cabo estudios más serios buscándole una aplicación práctica, llegándose a descubrir varios materiales semiconductores cuya resistencia es muy alta en la oscuridad, pero disminuye drásticamente con la luz.

• La siguiente tabla muestra algunos de los materiales semiconductores más utilizados como fotorresistencias:

        TIPO DE RADIACIÓN                MATERIAL                          l  

        VISIBLE E INFRARROJO                Sulfuro                                       (0.9 a 0.4 mm)

        CERCANO                        Seleniuro                         (0.9 a 0.4 mm)

                                        Sulfuselenurio de Cadmio         (0.9 a 0.4 mm)

        INFRARROJO MEDIO Y                           Silicio                        lmáx = 0.9 mm

        LEJANO                                        Sulfuro de Plomo                 lmáx = 2.5 mm

                                        Seleniuro de Plomo                lmáx = 3.4 mm

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