TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION

CAPÍTULO 3

Sección 3.2

CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR

¿Qué nombre se aplica a los dos tipos de transistores BJT? Dibuje la construcción básica de cada uno identifique que los diversos portadores minoritarios y mayoritarios de cada uno. Dibuje el símbolo gráfico junto a cada uno. ¿Se altera alguna información al cambiar de una base de silicio a una de germanio?

El nombre que se le aplica a estos dos tipos es: el primero es transistor NPN y el segundo es transistor PNP, que constan el primero de dos capas de tipo n y una capa tipo p, o el otro de dos capas de material tipo p y una tipo n.

Comúnmente en un semiconductor, si hablamos de tipo N, sus portadores mayoritarios son los electrones y sus portadores minoritarios, los huecos. En cambio en un material tipo P, sus portadores mayoritarios son los huecos y portadores minoritarios los electrones, entonces en una transistor bipolar como su nombre lo dice está compuesto por tipo N y tipo P.

En transistores de tipo NPN, predomina el material tipo N, esto quiere decir que sus portadores mayoritarios son los electrones y minoritarios son los huecos, y en transistores de tipo PNP, los portadores mayoritarios son los huecos ya que prevalece el material de tipo P y sus portadores minoritarios, los electrones.

Si determinamos el portador mayoritario en cada parte del material de un transistor podemos determinar mediante la descripción anterior, los tipo N y tipo P.

Ilustración 1: Símbolo Gráfico

Transistores Bipolares NPN y PNP.

La diferencia principal que existe entre un transistor de Silicio o Germanio es que la caída de tensión entre base emisor, mientras que en silicio es uno 0.7 V en el germanio tan solo 0.3 V

Características típicas de transistores.

Las diferentes características de entrada de dos transistores NPN de germanio y silicio respectivamente en función del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje colector-emisor.

¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno unipolar?

Una diferencia principal se puede decir que un dispositivo bipolar utiliza huecos y electrones en el proceso de inyección o el flujo de cambio hacia el material polarizado en forma opuesta, mientras que los dispositivos unipolares o bien utilizan los electrones o huecos, pero no tanto, en el proceso de flujo de cambio.

Sección 3.3

OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

¿Cuál es la fuente de la corriente de fuga en un transistor?

Si se toma como ejemplo un transistor de tipo PNP, se puede decir que dentro del colector su corriente se encuentra formada por dos componentes, los portadores mayoritarios y minoritarios y una polarización inversa de la fuente Vcc, en el colector y en la salida se relaciona la Ic,

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