Disulfuro de Molibdeno

Depósitos en Silicio de Disulfuro de Molibdeno (MoS2)

Para este depósito por medio de baño químico se hicieron dos experimentaciones, ya que se tienen dos precursores para hacer las películas delgadas de Sulfuro de Molibdeno.

1. Precursor: Paramolibdato de Amonio.

• El silicio utilizado es previamente lavado y se deja en una solución pura de etanol, para evitar su oxidación.
• Se hace la solución de paramolibdato de amonio en un vaso de precipitado de 250 ml y se pone en agitamiento, introduciendo posteriormente una base que sostiene al silicio.
• Se agrega la solución de tioacetamida, manteniendo el agitamento previo y tomando la temperatura.
• Cuando la solución mantiene una temperatura de 40°C se agregan los 12 ml de solución de amonio.
• Una vez que dicha solución haya alcanzado los 50°C se le agregan 12 ml de hidracina y se tapa el vaso de precipitado para evitar la evaporación de la solución.
• A partir de que la solución mantiene una temperatura de 90°C se deja calentando durante 30 min y se retira del calor.
• La solución, ahora sulfuro de molibdeno se deja reposando durante 24 horas.

2. Precursor: Tetratiomolibdato de Amonio (NH4)2MoS4

• Se lava el silicio previamente dejándolo en una solución de etanol.
• En un vaso de precipitado de 150 ml se prepara la solución correspondiente con el tetramolibdato de amonio, disolviéndose completamente esta se introduce la base con los silicios.
• Cuando la solución alcanza los 30°C se agrega 11 ml de la solución de amonio hasta que la mezcla sea homogénea, manteniéndola con una agitación constante.
• Posteriormente se agregan a dicha solución 11 ml de hidracina.
• La solución se deja agitando constantemente hasta alcanzar los 60°C, a partir de que ésta temperatura sea constante se deja calentando durante 1 hora.
• Una vez pasada la hora se retira la solución de Disulfuro de Molibdeno y se deja enfriar a temperatura ambiente.
• Los silicios se secan con Nitrógeno, no requieren calor.

Observaciones

• Para la primera experimentación las películas delgadas de Paramolibdato de Amonio se formaron y depositaron en el silicio uniformemente, las concentraciones y cantidades de los reactivos dadas anteriormente fueron escogidas a partir del mejor crecimiento en el silicio.
• Se hizo una caracterización en el SEM y salió que la cantidad de MoS2 en el silicio está compuesta por 75.5% de Azufre y 24.5% de Molibdeno.
• Se sigue haciendo las caracterizaciones correspondientes para determinar la máxima eficiencia de este material.
• Para la segunda experimentación la películas delgadas del precursor Tetratiomolibdato de Amonio fueron desuniformes y nos se depositó mucho material en el silicio, a pesar que en los sustratos de vidrio este precursor tiene mayor éxito en cuanto a su depósito y caracterización. Esto se puede deber al tipo de material (Si) en el que se está depositando, e incluso a las condiciones de su debida experimentación.

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