JFETS

José Antonio Morelos de la Torre A01362881

Resumen Artículo

A Study of Low Noise JFETs Exposed to Large Doses of Gamma Rays and Neutrons

Este artículo nos habla sobre el estudio que se le ha hecho a los JFETs de bajo nivel expuestos a grandes dosis de rayos gamma y neutrones a lo largo de 10 años, estos experimentos constan de someter los JFETs de bajo nivel a temperatura ambiente bajo el flujo de neutrones de hasta 1013 Ncm, bajo estas especificaciones es cuando las características DC y el ruido se presentan. Se menciona que los dispositivos JFETs de silicio son conocidos por su gran resistencia que presentan ante la radiación y los rayos “y”.

 Para poder alcanzar el proceso de integración monolítica, previamente debe solucionarse el problema del aislamiento entre dispositivos, para esto se usan diferentes niveles de dopaje para mejorar la dureza de los dispositivos ante la radiación; es cuando las metalizaciones drenadas y las fuentes se separan del anillo de aislamiento por una capa de nitruro de silicio. Lo que se ve más afectado en este proceso es el ruido, en la región de interés que está en procesamiento de señales rápidas, el ruido no es afectado por la irradiación, en caso contrario al aumentar el ruido en las zonas de baja frecuencia afecta mínimamente la relación señal – ruido. Con toda esta información se puede llegar a la conclusión que el proceso monolítico es capaz de retener la fuerte radiación de los JEFTs y que los experimentos han comprobado que estos JFETs muestran un daño moderado hasta los 1013Ncrn y que en pruebas comparativas los preamplificadores de los JET han sido capaces de resistir los experimentos y que sobre todo han mostrado menor sensibilidad a la radiación de los ratos gamma, más que los preamplificadores MESFET.

...