CONSTRUCCION DE LOS JFET
Enviado por briandavicr • 20 de Abril de 2015 • Ensayo • 729 Palabras (3 Páginas) • 748 Visitas
El transistor que voy a explicar es el JFET, este es un dispositivo controlado por voltaje, tiene 3 terminales con una de estas es capaz de controlar la corriente de las otras dos
el jfet tiene una gran impedancia de entrada con un nivel de 1 y hasta varios cientos de megaohms mas que un BJT.
En los jfets existen 2 tipos de transistores:
A continuación hare una analogía entre una llave de agua y un Jfet
La fuente de la presión de agua puede ser vinculada al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual establece un flujo de agua (electrones) desde el grifo (fuente). La “compuerta” gracias a una señal potencial aplicada, controla el flujo de agua (carga) dirigido hacia el “drenaje”. Las terminales del drenaje y la fuente se encuentran en los extremos opuestos del canal,[ como se presenta en la imagen.]
CONSTRUCCION DE LOS JFET
En esta imagen muestro un transistor JFET canal “n”.
La zona tipo “n” es la de amarillo, la tipo “p” es la azul como podemos ver y ahí se forma una unión p-n generando una región de agotamiento de portadores entre cada unión [La región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es incapaz de soportar la conducción a través de ella].
En los extremos del cilindro se realizan conexiones, una conexión de (s) FUENTE y en el otro extremo (d) DRENAJE y entre estos dos extremos conecto una fuente VDS para poder tener una corriente en todo el cilindro a través de este canal que se esta formando entre estas dos regiones verdes.
Ahora, entre compuerta y fuente se conecta además una fuente que es una fuente de control, esta va a crear control de la fuente de corriente controlada por voltaje que se le conoce como VGS.
La manera de controlar este canal es por la abertura que puede llegar a tener y así podremos controlar la corriente que fluye por el canal, esto será polarizando en inversa la unión p-n y eso se hace mediante la fuente VGS aplicándole un voltaje negativo.
Vamos a bajar el voltaje a -3 y se puede notar como las regiones de agotamiento se expandieron haciendo así el canal mas angosto y esto hace que la corriente que pasa por ahí disminuya.
El canal puede llegar a cerrarse completamente a esto se le llama “ahorcamiento”.
Esto sucede a un cierto nivel de voltaje que es un parámetro del transistor especificado por el fabricante, este nivel de voltaje se le conoce como VP.
En este caso el VP es de -6 V, es decir, en este momento si el voltaje entre compuerta y fuente es de -6 V o mas negativo, el canal esta totalmente ahorcado y no puede haber flujo de corriente.
Ahora con la fuente VGS en 0 volts y la fuente VDS la ponemos en 3 V para que haya una corriente de 9.38 mA como podemos ver. Se puede observar como las regiones de agotamiento se alteraron un poco, esto debido a la variación del voltaje VDS.
Ahora
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