LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS.
Enviado por trada94 • 6 de Octubre de 2016 • Apuntes • 1.482 Palabras (6 Páginas) • 235 Visitas
[pic 2]
Universidad Autónoma de Baja California
Facultad de Ciencias Químicas e Ingeniería
Respuesta Transitoria: en Circuitos Pasivos de 1er y 2do Orden
Practica No.4
Enciso Zúñiga Raúl (raul.enciso@uabc.edu.mx)
Estrada Duran Angel (angel.estrada.duran@uabc.edu.mx)
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS
GRUPO: 641-1
01 DE ABRIL DEL 2016
Contenido
I INTRODUCCIÓN
II OBJETIVO
III MARCO TEORICO
IV MATERIAL Y COMPONENTES EMPLEADOS
V DESARROLLO Y EVALUACION DE RESULTADOS
VI CONCLUSION
VII BIBLIOGRAFIA
I INTRODUCCIÓN
Respuesta Transitoria: en Circuitos Pasivos de 1er y 2do Orden
II OBJETIVO
Observar en el osciloscopio los distintos tipos de respuesta de circuitos RLC, realizar la medición de los parámetros en estas respuestas, además de poder identificar la respuesta natural y la respuesta forzada de los circuitos.
III MARCO TEORICO
Circuitos de primer y segundo orden.
En un circuito que consta de una rama con la capacidad de almacenar energía y una resistencia se le llaman circuitos de primer orden ya que el comportamiento de estos circuitos se puede describir mediante una ecuación diferencial de primer orden. Estos circuitos pueden ser RL o RC. [1]
Cuando en el mismo circuito tenemos inductancias y capacitancias las ecuaciones diferenciales resultantes serán de segundo orden, por lo cual los denominamos circuitos de segundo orden. [1]
Para estos tipos de circuitos pasivos existen tres tipos de respuesta transitoria como se describe cada una a continuación.
La Respuesta Sobre-Amortiguada es cuando el coeficiente de neper es mayor a la frecuencia resonancia. [pic 3]
Figura 3.1 respuesta Sobre-Amortiguada. [2]
La Respuesta Sub-Amortiguada es cuando el coeficiente de neper es cuando el coeficiente de neper es menor a la frecuencia de resonancia[pic 4]
Figura 3.2 respuesta Sub-Amortiguada. [2]
La Respuesta Críticamente-Amortiguada es cuando el coeficiente de neper es igual a la frecuencia de resonancia.[pic 5]
Figura 3.3 respuesta Críticamente-Amortiguada. [2]
En la siguiente grafica se muestran los parámetros a considerar en una repuesta transitoria:[pic 6]
F
Figura 3.4 Parámetros de una repuesta transitoria. [2]
Td: Tiempo de retraso, el tiempo que tarda en llegar a la mitad del voltaje medio final
Tr: Tiempo de crecimiento, es el tiempo que tarda en llegar por primera vez al valor final de voltaje.
Mp: es el pico de voltaje más alto que da la señal.
Tp: Tiempo de Máximo Sobreimpulso, es el tiempo que tarda en dar su máximo sobre impulso.
Ts: Tiempo de establecimiento, es el tiempo que tarda en estabilizarse la señal. Se considera un +-5% de tolerancia de la amplitud final para decir que ya se estabilizo.
IV MATERIAL Y COMPONENTES EMPLEADOS
Lista de materiales:
Cantidad | Materiales |
1 | Generador de Funciones |
1 | Osciloscopio |
2 | Probeta de Osciloscopio |
1 | Punta de Generador de Funciones |
1 | Tablilla de experimentación (“protoboard”) |
Cantidad | Componentes |
6 | Resistencias: 470Ω, 56Ω, 100Ω,150Ω,300 Ω 220Ω |
2 | Capacitores 22nF,150nF |
1 | Inductor: 17µH |
Lista de componentes:
V DESARROLLO Y EVALUACION DE RESULTADOS
Lo primero que se realizó fue encender el osciloscopio y comprobar su correcto funcionamiento y se compensaron las puntas de osciloscopio para asegurar mediciones más confiables durante la práctica.[pic 7]
1.- En este primer punto se armó el circuito de la figura 6.1 y en el “Vgen” se ajustó una onda cuadrada de 0.3V y un “offset” de 0.3V a una frecuencia de 1000Hz. Una Rc de 470 Ω, una L1 de 17mH y una Ca de 150nF.[pic 8]
Se tomó la medición en “Vgen” y “Vout” en el osciloscopio:
[pic 9]
Figura 6.2 Medicion de circuito RLC en Vgen Y Vout
En el resultado de esta señal se puede observar una onda sobre-amortiguada.
2.- En este punto se varió la resistencia “Rc” y observaron los cambios de la señal como se muestra a continuación.
Datos de la señal : | |
Tipo de Respuesta | sub-amortiguada |
Voltaje pp | 576mV |
Voltaje Medio | 288mV |
Tiempo de retraso | 52uSeg |
Tiempo de crecimiento | 87.5uSeg |
Tiempo de Max. Sobreimpulso | 180uSeg |
Maximo Sobreimpulso | 784mV |
Tiempo de establecimiento | 800uSeg |
Resistencia de 56Ω: [pic 10]
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