Obtener, compara y construir diferentes circuitos mediante MOSFET para estudiar este dispositivo mediante su funcionamiento.

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL.[pic 1][pic 2]

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELECTRICA

UNIDAD ZACATENCO.

INGENIERÍA EN COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA.

DISPOSITIVOS

PROFESOR: SERGIO ACENZUA BRAVO.

PRACTICA 9

ALUMNOS:

ORTIZ HERNANDEZ ALMA

ESCALONA DIAZ DANIEL

RAMOS AGUILAR JUAN ALEJANDRO

NERI DAVILA DIDIER ANIBAL

GRUPO: 5CM1

Objetivo:

Obtener, compara y construir diferentes circuitos mediante MOSFET para estudiar este dispositivo mediante su funcionamiento.

Material empleado

• Resistencias varios valores y diferentes potencias.
• Resistencia variable 10k[pic 3]
• Fuente variable de corriente directa
• Fuente de corriente alterna de 60HZ [pic 4]
• Transformador 10:1
• Transistor TIP 41
• Transistor LM 7805
• Capacitor electrolítico 1000µf
• Tablilla de prueba.
• Puntas para osciloscopio.

5 Circuito regulador de voltaje con transistor bipolar.

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Diagrama a bloques de una fuente reguladora de voltaje.

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Ilustración 5.5.1 Diagrama a bloques de una fuente reguladora de voltaje.)

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Ilustración  (5.5.2 Grafica A)

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Ilustración  (Grafica B)

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Ilustración 5.5.4 (Grafica C)

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Ilustración 5.5.5 (Grafica D)

1. De los tres diodos Zenerque utilizo en los experimentos ¿Cuál de ellos presento coeficiente de temperatura mayor, cual menor cual se aproximó a cero?

El diodoZener de voltaje 3.1 fue el diodo que no tuvo perdida ni mucha ganancia, por lo tanto es el diodo equivalente a cero, mientras que el diodo 5.1v tuvo una perdida y el de 9.1 tuvo una ganancia teniendo  así los resultados mostrados en la primera tabla de este reporte.

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