PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECÁNICA, MECÁNICA – ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE INGENIERÍA MECÁNICA, MECÁNICA – ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA

TITULO DEL TRABAJO: Transistor BJT

CURSO: Circuitos Electrónicos I

DOCENTE: Christian Guillermo Collado Oporto

AUTORES:

 Milón Guzmán, Jorge

 Yana Quispe, Carlos

 Cruz Torres, Gino

 Palaco Mamani, Max

Grupo: 07

SEMESTRE V - 2014

Transistor BJT

I. Objetivos:

Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.

Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT.

Analizar las características de transistores BJT.

Calcular la curva de los transistores BJT.

II. Marco Teórico:

…(aquí se pone la teoría, etc….)

III. Materiales y equipo:

 Protoboard

 Resistencias 330KΩ, 1KΩ, 4.7KΩ, 100Ω

 Potenciómetro 1MΩ, 5KΩ, 5MΩ, 10KΩ

 Transistores BC548 (equivalente), 2N3904 (equivalente)

 Miliamperímetro DC

 Voltímetro DC

 Fuente DC

IV. Procedimiento:

a) Parte 1:

 Identificación del transistor

 Identifique los terminales del transistor BJT

1)

2)

3)

 Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM.

 Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.

Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM

1 2

2 1

1 3

3 1

2 3

3 2

Tabla 1

 Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla 2:

Terminal Base

Terminal Colector

Terminal Emisor

Tipo de Transistor

Material del Transistor

Tabla 2

b) Parte 2:

Figura 1

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y β (hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir β en el caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor:

Tipo de transistor

Configuración de cada patilla

Potencia máxima

VCE máxima

IC máxima

β (hFE)

Frecuencia de corte.

4. En el circuito, se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.

5. Grafique Vce vs Ic.

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Vce= 0 V Vce= 0.5 V Vce = 1 V Vce= 1.5 V

IB = 25μA Ic=

IB = 50μA Ic=

IB = 75μA Ic=

IB = 125μA Ic=

Tabla 3

GRAFICA Vce vs Ic.

c) Parte 3:

 Características del Colector

1. Construya el circuito de la siguiente figura 2:

Figura 2

RC= ____ (medido)

Q1= 2N3904

...