Semiconductor Tipo N

Semiconductor Tipo N

Se construyen con Silicio o Germanio que tienen una valencia atómica de 4

electrones. Los átomos que se usan como impurezas son los de arsénico,

antimonio y fósforo.

Se obtienen llevando a cabo un proceso de dopado o adición de un

componente donante impuro de 5 electrones de valencia, de tal manera que al

formarse los enlaces covalentes, queda sobrando un electrón no enlazado

consiguiendo un material semiconductor con exceso de electrones o carga

negativa.

Este electrón extra da como resultado la formación de electrones libres, el

número de electrones en el material supera ampliamente el número de huecos,

en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los

portadores minoritarios.

Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más

débilmente vinculados a los átomos del semiconductor.

Semiconductor Tipo P

Se obtienen llevando a cabo un proceso de adición de un componente impuro

de 3 electrones de valencia para poder aumentar el número de portadores de

carga libres (en este caso positivos, huecos), de tal manera que al formarse los

enlaces covalentes, sucederá ausencias de electrones de valencia llamados

huecos.

Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más

débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante

es también conocido como material aceptador. El propósito del dopaje tipo P es

el de crear abundancia de huecos.

Universidad Nacional Abierta y a Distancia - UNAD

Escuela de Ciencias Básicas, Tecnología e Ingeniería

Unidad de Ciencias Básicas

Cualidades del semiconductor Puro (Intrínseco) con respecto a los

materiales impuros que se le adicionan (Extrínseco)

Los principales materiales que presentan propiedades semiconductoras son

elementos simples, como el silicio (Si) y el germanio (Ge).

Estos elementos son tetravalentes, es decir, tienen cuatro electrones de

valencia, y forman enlaces covalentes en los que comparten estos electrones

con los átomos vecinos. El enlace covalente mantiene «anclados» a los

electrones e impide su desplazamiento, por lo que da lugar a materiales que no

pueden conducir la corriente eléctrica.

Los semiconductores intrínsecos presentan una conductividad muy baja, por lo

que se han buscado métodos para aumentar su valor. Esto ha dado lugar al

desarrollo de los semiconductores extrínsecos.

Sin embargo, los enlaces covalentes de los elementos mencionados

anteriormente no son muy fuertes, y se pueden romper con facilidad si se

aporta una pequeña cantidad de energía (con calor, luz o aplicando un

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