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Transistores: zona de corte y saturación BJT


Enviado por   •  5 de Octubre de 2024  •  Práctica o problema  •  470 Palabras (2 Páginas)  •  24 Visitas

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First Author et al.: Title        9

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Transistores: zona de corte y saturación BJT

Shesly Nicole Colorado 5600756, Julián David Castaño Portilla 5600554

  1. Introducción

E

l propósito de esta guía de laboratorio es explorar y analizar los modos de corte y saturación en transistores BJT. A través de la construcción y simulación de circuitos prácticos, los estudiantes aprenderán cómo un transistor puede funcionar como un interruptor abierto o cerrado, dependiendo de la corriente aplicada a la base. Se enfocará en la implementación de un puente H, un circuito que permite controlar la dirección de rotación de un motor DC, utilizando transistores en estos modos de operación.

Este laboratorio proporciona una comprensión fundamental del comportamiento de los transistores en circuitos electrónicos, lo que es esencial para futuras aplicaciones en ingeniería biomédica y otros campos relacionados. A lo largo de la práctica, los estudiantes serán guiados en el proceso de montaje, simulación y análisis de circuitos, desarrollando habilidades críticas para el diseño y análisis de sistemas electrónicos complejos.

Palabras clave— BJT, motor DC, puente H, transistor, zona corte, zona saturación.

  1. MARCO TEORICO

El transistor bipolar de juntura (BJT) es uno de los componentes fundamentales en la electrónica moderna. Su capacidad de amplificar señales y actuar como interruptor lo convierte en un elemento esencial en una variedad de aplicaciones electrónicas. Los transistores BJT se utilizan principalmente en dos modos de operación: corte y saturación. Estos modos son críticos para entender el comportamiento del transistor en aplicaciones prácticas, como el control de motores o la conmutación de señales.

En el modo de corte, el transistor actúa como un interruptor abierto, es decir, no permite el paso de corriente entre el colector y el emisor. Este estado se logra cuando la base-emisor está polarizada inversamente, lo que impide que los electrones fluyan a través del transistor. Por otro lado, en el modo de saturación, el transistor se comporta como un interruptor cerrado, permitiendo que la corriente fluya libremente entre el colector y el emisor. Este estado se alcanza cuando la base-emisor está polarizada directamente, y la base recibe suficiente corriente para saturar el transistor, permitiendo el paso de corriente máxima a través del dispositivo.

La comprensión de estos dos modos de operación es vital para diseñar y analizar circuitos electrónicos que utilicen transistores BJT, ya que estos modos determinan la capacidad del transistor para controlar el flujo de corriente en un circuito.

  1. Desarrollo

Montaje del circuito de la figura 1.

[pic 1]

[pic 2]

Datos tomados del voltaje en cada transistor entre el colector y el emisor en zona de corte y saturación, y el voltaje que le llega al motor en ambas direcciones.

[pic 3]

  1.  CONCLUSIONES

Este trabajo se entregó el 16 de agosto de 2024 por Shesly Colorado que estudia ingeniería biomédica (est.shesly.colorado@unimilitar.edu.co) y por Julián David Castaño que estudia ingeniería biom00E9dica (est.juliand.castano@unimilitar.edu.co ).


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