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Resumen sobre Espintrónica


Enviado por   •  6 de Mayo de 2023  •  Resumen  •  452 Palabras (2 Páginas)  •  38 Visitas

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Resumen sobre Espintrónica

La espintrónica representa un gran avance en el campo de la electrónica, específicamente la microelectrónica. Esta tecnología va más allá del aprovechamiento de la carga del electrón, ya que tienen en cuenta, además, otra propiedad de estos conocida como spin.

En 1988, Albert Fert y y  Peter  Grünberg descubren por separado la ¨Magnetorresistencia Gigante¨, que ocurría debido al desequilibrio entre el número de electrones espín up y el de espín down.

Un dispositivo de espintrónica generalmente se basa en la generación de espines polarizados localizados que se generan controlando una población de espines en estado de no equilibrio. En un dispositivo de espintrónica, esto corresponde a controlar las superposiciones coherentes de los espines involucrados. En general, se requiere conocer el grado de polarización de los espines de un material.

IBM fue la industria encargada de introducir la espintrónica en el desarrollo de cabezas lectoras de discos duros de ordenador. Gracias a su uso, se lograría la compresión en un área diminuta de cantidades enormes de datos.

El   modelo   denominado  válvula de  espín es el más simple de  un  sistema de Magnetorresistencia Gigante, está  formado  por  dos capas ferromagnéticas separadas por una fina barrera  de   un   material   metálico   no magnético. Donde, una de las capas ferromagnética presenta una  magnetización fija,     mientras     que     la     orientación     de     la magnetización   en   la otra capa variará  dependiendo  de  la  dirección  del  campo.

Sin embargo,  unos  años  después,  un  fenómeno  más poderoso basado en el efecto túnel fue descubierto, y  reemplazó  a  los  dispositivos  basados  en  Magnetorresistencia Gigante, provocando  el  nacimiento  de  memorias  MRAM  y dispositivos  lógicos  magnéticos  re-programables. Este fenómeno  es denominado Magnetoresistencia de Efecto Túnel.

El sistema  es  idéntico  al  de  una  estructura de Magnetorresistencia Gigante,  salvo  que  la  barrera  es  reemplazada  por  un material   aislante   no   magnético.

Bibliografía:

  1. Monteblanco, Elmer, Christian Ortiz Pauyac, Williams Savero, J. Rojas Sanchez, y A. Schuhl. 2013. Espintrónica, La Electrónica Del Espín. TECNIA 23 (1), 5-16
  2. J. A. Olarte, M. C. Cifuentes Espintrónica principios básicos y aplicaciones. Vol. 8, Nº. 2, 2014, págs. 155-161.
  3. Carmen-Gabriela Stefanita. From Bulk to Nano: The Many Sides of Magnetism. Springer Series in Materials Science Vol 117. 2008.

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