ENSAYO 2 TRANSISTORES NPN Y PNP CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO Hernández Vásquez Edgar Edwin Edwin10_barcelona@hotmail.com Universidad Politécnica De Tlaxcala, Av. Universidad Politécnica No. 1, San Pedro Xalcaltzinco, Tepeyanco, Tlax. C.P. 9018
Enviado por Hdz10 • 11 de Febrero de 2014 • 1.355 Palabras (6 Páginas) • 1.383 Visitas
ENSAYO 2
TRANSISTORES NPN Y PNP CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO
Hernández Vásquez Edgar Edwin
edwin10_barcelona@hotmail.com
Universidad Politécnica de Tlaxcala, Av. Universidad Politécnica No. 1, San Pedro Xalcaltzinco, Tepeyanco, Tlax. C.P. 90180 Tel. (246) 465 1300.
RESUMEN: There are two types of transistors: the NPN and PNP transistor is composed of three legs which will be named as: base (B), collector (C) and emitter (E). They are used in signal amplification processes. These may be BJT or MOSFET.
PALABRAS CLAVE: Amplificador de señales.
OBJETIVO: Saber cómo se comporta el elemento electrónico, y como está conformado.
I. INTRODUCCIÓN
El transistor fue inventado por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley en 1947.
El transistor es un amplificador de corriente, si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, este proceso lo podemos llamar amplificación.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" se refiere a "resistencia de transferencia". Actualmente los podemos encontrar en: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc.
Imagen 1) Transistores físicamente
II. FUNCIONAMIENTO
A. CARACTERÍSTICAS GENERALES TRANSISTORES BJT
Los transistores BJT son fabricados por dos monocristales de Germanio, Silicio, estos elementos actúan como elementos semiconductores.
La zona N es la parte donde se donan electrones (cargas negativas) y en la parte P es la zona de los aceptadores (huecos) son las cargas positivas. En la parte de los aceptadores P se utilizan elementos como lo son: indio, aluminio o galio, y los donantes N utilizan el arsénico o fosforo.
En los transistores (NPN O PNP) la letra intermedia corresponde a la base, y las otras dos corresponden a l emisor y al colector.
El transistor es un elemento electrónico semiconductor sus funciones principales que cumple es ser un amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
A.1. OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES BJT
Las operaciones del transistor BJT se puede dividir en tres diferentes modos:
A. Modo de corte
En este la corriente de base es nula (o casi), es decir IB=0, la IC= β*0 =0 ° IC= 0. El transistor no conduce en absoluto no está en función. Este modo hace que el transistor se comporte como interruptor.
B. Modo activo
El transistor conduce parcialmente siguiendo la segunda expresión IC= β*IB. La corriente del colector es directamente proporcional a la corriente de la base.
C. Modo de saturación
El transistor conduce totalmente y se comporta como interruptor cerrado, en este modo se alcanza cuando la corriente por la base (IB) alcanza un valor alto.
B. CARACTERÍSTICAS GENERALES TRANSISTORES MOSFET
El transistor MOSFET lo podemos observar en la imagen 1.1).
Existen dos tipos de transistores MOSFET:
1 MOSFET de enriquecimiento
Este transistor es utilizado para amplificar señales electrónicas, es uno de los transistores más utilizados en la industria microelectrónica, es utilizado en circuitos analógicos o digitales. Se basan principalmente en la creación de un canal entre el drenador y el surtidor al aplicar una tensión. La tensión forma una región de inversión, es una región con dopado opuesto al sustrato de origen.
El transistor MOSFET de enriquecimiento incremento la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración de electrones, o huecos. El transistor se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n.
Imagen 1.1). Transistores físicamente
B.1 OPERACIÓN DE LOS TRANSISTORES MOSFET
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de operación:
A. Modo de corte
Cuando VGS < VTH en donde VTH es la tensión de umbral del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre el surtidor y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto. Como se muestra en la imagen B.1.1)
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