Fisica De Los Semiconductores

Asignatura: ELECTRÓNICA ANALÓGICA

Unidad 1: FÍSICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Práctica No: 2 Tiempo de realización 2 horas

Nombre de la práctica: POLARIZACIÓN DEL DIODO.

OBJETIVO:

A. Observar la forma en que los voltajes de polarización directa e inversa afectan el flu¬jo de la corriente a través de un diodo semi¬conductor.

B. Mostrar la relación entre el voltaje y la co¬rriente de un diodo se-miconductor tra¬zando una curva.

INSTRUCCIONES GENERALES

A. Traer armados al laboratorio los circuitos en protoboard.

B. Asegúrese de polarizar correctamente cada Circuito.

C. El alumno investigará:

1) Características eléctricas,

2) Configuración interna y

4) Matrículas

FUNDAMENTACIÓN:

Un diodo semiconductor se hace de materiales que son conductores parciales, generalmente sili¬cio o germanio. Parte del semiconductor se trata de tal manera que tenga un exceso de electrones (material de tipo N). La otra parte del semicon¬ductor se trata para que tenga una deficiencia de electrones (material de tipo P). A este tipo de diodo con frecuencia se le llama DIODO semiconductor

EQUIPO

 Fuente de alimentación

 Multímetro digital

 Multímetro analógico

MATERIALES (Proporcionados por los Alumnos)

 1 Protoboard.

 4 Diodos de silicio (CR1-CR4)

 1 Resistencia de 10 kΩ

 El alambre necesario para realizar las conexiones (color rojo y negro)

FUENTES DE CONSULTA

• ELECTRICIDAD Y ELECTRÓNICA PRÁCTICA 1: BACK ENGINEERING CO. INC. EDITORIAL LIMUSA.

• ELECTRÓNICA PRÁCTICA VOL.2 COMUNICACIONES EN RADIOFRE-CUENCIA. EDITORIAL LIMUSA.

• ELECTRÓNICA PRÁCT5ICA VOL.3 COMUNICACIONES EN RADIO-FRECUENCIA. EDITORIAL LIMUSA.

• ELECTRÓNICA PRÁCTICA VOL. 4 INSTRUMENTACIÓN. EDITORIAL LIMUSA.

• ELECTRÓNICA PRÁCTICA VOL.5. APLICACIONES INDUSTRIALES. EDITORIAL LIMUSA.

• ELECTRÓNICA APLICADA. POR JOHN S. FROST. EDITORIAL LIMUSA

• EXPERIMENTOS CON TRANSISTORES Y SEMICONDUCTORES POR HOWARD. EDITORIAL LIMUSA

DESARROLLO DE LA PRÁCTICA

Objetivo A: Observar la forma en que los voltajes de polarización directa e inversa afectan el flujo de la corriente a través de un diodo se-miconduc¬tor.

a. Arme el circuito que se muestra en la fig. 24-4. Asegúrese de conocer correctamente la polaridad del miliamperímetro y la del diodo. La resis-tencia R1 en serie se incluye sólo como dis¬positivo de protección, y limita la corriente de la fuente de energía a un valor seguro.

FIG 24 - 4

b. Gradualmente aumente el voltaje ES de la fuente hasta que el mi-liamperímetro indique 0.02Acd de corriente IF directa del diodo. En la tabla 24-1 anote la caída de voltaje EF directa del diodo.

La caída de voltaje directa a 0.02 mAcd de co¬rriente directa debe ser entre 0.35 y 0.45Vcd.

c. Repita y anote EF para cada uno de los pasos de IF de la tabla. Cam-bie el rango del mi¬liamperímetro a 1 mAcd cuando lo requiera.

d. Regrese el voltaje a cero e invierta las conexiones del diodo de silicio

e. Cambie el rango del miliamperímetro a 0.1mAcd y el rango del multímetro digital a 50Vcd.

f. Ajuste la fuente de energía a 50Vcd y mida la corriente inversa (de fuga) del

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