Laboratorio EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

LABORATORIO  #  1

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET.

PRESENTADO POR:

BLAIDY MANTILLA 901102005

JORGE ECHEVERRY 901111016

JAMER MARTINEZ 901111033

LUIS MERCADO 901111017

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

LABORATORIO  #  1

EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO JFET.

OBJETIVOS:

• Medir la corriente de saturación  y el voltaje Pinch-off  del  FET.

EQUIPOS Y MATERIALES

PROCEDIMIENTO PRÁCTICA DE LABORATORIO

1. Construya el circuito que se muestra en la figura 1.

[pic 1]

Figura 1.

1. Gire el potenciómetro de 1 MΩ hasta que alcance su valor máximo.
2. Varíe el potenciómetro de 5 K Ω hasta que el VDS = 8 V.
3. Varíe el potenciómetro de 1 MΩ hasta que VGS = 0 V.
4. Mida el voltaje en la resistencia de 100 Ω   

 VR = 40mV

        6.  Calcule la corriente  de   VR / R   =  0,4mA

        7.  Mantenga el voltaje  VDS  =  8 Voltios.

8. Gire el potenciómetro de 1 MΩ  para variar el voltaje VGS.  Reduzca el voltaje de R hasta  1 mV.  Luego mida:

      ID = -4,1 mA

      VGS = 4,0 v

      IDSS = 400uA

1.  Complete la tabla con los valores correspondientes.

1. Grafique los resultados de  la tabla  en la figura 2

   [pic 2]

Figura 2

1. Utilice los valores de la figura 2 para los valores de IDSS  y VP de la curva de transferencia

1. Calcule ID con la ecuación que se muestra a continuación.  Tome por lo menos 5 valores.

ID =  IDSS [ 1- VGS/ VP]2

VGS = -5   =>  ID = 400uA [ 1- (-5V/ -947mV)]2 = -7,32mA

VGS = -4   =>  ID = 0.9mA [ 1- (-4V/ -947mV)]2 = -4,15mA

VGS = -3   =>  ID =  0.9mA [ 1- (-3V/ -947mV)]2 = -1,87mA

VGS = -2   =>  ID =  0.9mA [ 1- (-2V/ -947mV)]2 = -0,49mA

VGS = -1   =>  ID =  0.9mA [ 1- (-1V/ -947mV)]2 = -0,001mA

1. Del circuito de la figura 1  mueva los potenciómetros de 1 MΩ  y el de 5 KΩ y los resultados anótelos en la tabla 2.

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