Laboratorio Ujt
Enviado por Lenin17 • 23 de Enero de 2014 • 452 Palabras (2 Páginas) • 759 Visitas
LABORATORIO DE UJT
LICENCIATURA EN ELECTRONICA
RONALD EDWIN ARIAS GUERRERO
2008103003
TRANSISTOR UNIUNIÓN
El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor ( ), base uno ( ) y base dos ( ). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.
Construcción
Estructura
Circuito equivalente
Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como y respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n en el límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor ( ) se hace a partir de este material tipo-p. El tipo n está ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertemente contaminado.
Características
Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.
Operación
El UJT se polariza normalmente según se vé en su curva de polarización. La base se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia circula entonces una corriente :
El cátodo del diodo emisor se encuentra a una tensión:
El diodo puede presentar una polarización inversa si es inferior a por lo que se presentará una corriente de fuga muy pequeña. Por otro lado si es superior , el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente formada por portadores minoritarios que son depositados en . Esta se anula disminuyendo su valor; por esto la tensión disminuye también, ahora si bien si es constante, debe aumentar, lo que disminuye aún más a .
SIMULACION
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