MOSFET - Tipo Enriquecimiento.

MOSFET tipo enriquecimiento

A pesar de las semejanzas entre los MOSFET de tipo empobrecimiento y enriquecimiento, las características del MOSFET tipo enriquecimiento son únicas hoy en día.

Entre las características principales, encontramos que la curva de transferencia no está definida por la ecuación de Shockley y la corriente de drenaje ahora es la de corte hasta que el voltaje de la compuerta alcance una magnitud específica.

El control de corriente en un dispositivo de canal n ahora se ve afectado por un voltaje positivo de la compuerta a la fuente en lugar de por los voltajes negativos encontrados en los JFET de canal n y en los MOSFET de empobrecimiento de canal n.

[pic 1]

-No existe un camino entre la fuente  y el drenaje

-Si Vgs se establece en 0V, la ausencia de canal-n provocará corriente de 0mA

Funcionamiento[pic 2]

-Vds y Vgs deben tener valor mayor a 0V.

-Drenaje y compuerta potencial positivo respecto a la fuente.

-Los huecos viajan a la derecha.

-La región de agotamiento se encuentra cerca de la capa aislante.

Voltaje de Umbral[pic 3]

-Los electrones del sustrato P son atraídos a la compuerta.

-La concentración de electrones en la capa aislante aumenta considerablemente.

-Existe corriente entre fuente y drenaje.

-Voltaje de umbral.

VGS constante y VDS variable

Si se mantiene Vgs constante y se incrementa Vds, la corriente de drenaje   alcanzará un nivel de saturación.[pic 4][pic 5]

La estabilización debida a un proceso de estrechamiento del canal al final del drenaje.

La reducción del voltaje entre la compuerta y el drenaje reducirá la fuerza de atracción de los electrones en esta región del canal.[pic 6]

[pic 7]

Mientras mayor sea el nivel de Vgs, mayor será el nivel de saturación de Vds

[pic 8]

[pic 9][pic 10][pic 11]

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