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Trabajo Electronica


Enviado por   •  7 de Febrero de 2014  •  2.866 Palabras (12 Páginas)  •  297 Visitas

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E.T.I SAN JOSÉ OBREO

FÉ Y ALEGRIA

ANTIMANO

5º ELECTRONICA

INTEGRANTES: PROFESOR:

ANTHONY HERNÁNDEZ

DANIEL VILLEGAS DELVIS MONTEVERDE

CS, NOVIEMBRE 2013

INTRODUCCIÓN

Para poder iniciar un nuevo tema de cualquier carrera se debe tener una introducción teórica básica sobre el mismo, para poder entender todos los términos referidos sobre el tema. Esto en la electrónica toma mucha más importancia, ya que en nuestro caso al estudiar un nuevo tema o un nuevo componente es estrictamente necesario saber sus polaridades, comportamiento, funcionamiento para así no ocasionar un corto circuito al momento de utilizarlos. Por esta razón este trabajo tiene como principal objetivo el estudio de los transistores y los transistores más importantes, las puertas lógicas, etc.

ÍNDICE

-Transistor: FET, UJT, SCR, DIAC, TRIAC

-Rele, Oscilador comparador, convertidores

-Compuertas lógicas

-Numeración decimal, binaria, octal.

-Tabla de la verdad

-Tecnología TTL, CMOS, ECL

-Importancia de la lógica

TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. Actualmente existen diversos tipos de transistores, entre ellos:

FET:

Un transistor bipolar (BJT) es un dispositivo controlado por corriente; es decir, la corriente de la base controla la cantidad de corriente del colector. El transistor de efecto de campo (FET) es diferente; se trata de un dispositivo controlado por voltaje, en donde el voltaje en la terminal de la compuerta controla la cantidad de corriente a través del dispositivo. Además, comparado con el BJT, el FET tiene una muy alta resistencia de entrada, lo cual lo hace superior en ciertas aplicaciones.

El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un tipo de FET que opera con una unión polarizada en inversa para controlar la corriente en un canal.

Símbolo:

Canal n Canal p

Características:

• Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).

• No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).

• Hasta cierto punto es inmune a la radiación.

• Es menos ruidoso.

• Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador (buffer) Impedancia de entrada alta y de salida baja Uso general, equipo de medida, receptores

Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones

Mezclador Baja distorsión de intermodulación Receptores de FM y TV,equipos para comunicaciones

Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Receptores, generadores de señales

Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medición, equipos de prueba

Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc, sistemas de control de dirección

Resistor variable por voltaje Se controla por voltaje Amplificadores operacionales, órganos electrónicos, controlas de tono

Amplificador de baja frecuencia Capacidad pequeña de acoplamiento Audífonos para sordera, transductores inductivos

Oscilador Mínima variación de frecuencia Generadores de frecuencia patrón, receptores

Circuito MOS digital Pequeño tamaño Integración en gran escala, computadores, memorias

UJT :

El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro N, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

Estructura circuito equivalente

Símbolo:

Características:

Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje VEB1 sobrepasa un valor VP de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa, este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

Aplicación:

- Generar señales para dispositivos de control de potencia como Tiristores o TRIACs

SCR

El rectificador controlado de silicio (SCR) es un dispositivo pnpn de cuatro capas que tiene tres terminales: el ánodo, el cátodo y la compuerta. El scr tiene dos estados posibles de operación. En el estado apagado existe entre el ánodo y el cátodo una resistencia muy alta (actuando idealmente como un circuito abierto). En el estado encendido se tiene una resistencia muy pequeña causando un corto circuito del ánodo al cátodo.

Símbolo :

Características:

• Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un diodo común (ver la corriente de fuga característica que se muestra en el gráfico).

• En la región de polarización en directo el SCR se comporta también como un diodo común, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D y E.

• Para valores altos de corriente de compuerta (IG) (ver punto C), el voltaje de ánodo a cátodo es menor (VC).

• Si

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