CUESTIONARIO BJT

CUESTIONARIO:

1. MENCIONE Y EXPLIQUE CADA UNA DE LAS DIFERENCIAS ENTRE UN TRANSISTOR BJT Y UN TRANSISITOR FET.

BJT

• Controlado por corriente de base.
• Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones.
• IC es una función de IB.
• ß (beta factor de amplificación)
• Altas ganancias de corriente y voltaje.
• Relación lineal entre Ib e Ic.

JFET

• Controlado por tensión entre puerta y fuente.
• Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó electrones (canal n).
• ID es una función de Vgs.
• gm (factor de transconductancia).
• Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT.
• Relación cuadrática entre Vgs e Id.

Ventajas del FET con respecto al BJT

• Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)MΩ.
• Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
• Son más estables con la temperatura que los BJT.
• Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivos en un CI.
• Se comportan como resistencias controladas por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
• La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
• Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas de los FET

• Los FET´s presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
• Los FET´s presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
• Los FET´s se pueden dañar debido a la electricidad estática.

1. INDIQUE LOS ELEMENTOS QUE DETERMINAN EL PUNTO DE TRABAJO DE UN TRANSISTOR FET.  „ Debido a cambios de temperatura Y cambio del componente en sí por otro igual o diferente.

1. PROPORCIONE Y  EXPLIQUE TRES EJEMPLOS DE APLICACIÓN DEL TRANSISTOR DE FET.

• Aislador o separador (buffer): principal ventaja, impedancia de entrada alta y salida baja. Uso general, equipo de medida, receptores.
• Amplificador de RF: principal ventaja, bajo ruido. Uso sincronizaciones de FM, equipo para comunicaciones.
• Mezclador: baja distorsión de intermodulación, uso receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones.

1. CON BASE A LAS CURVAS DE CARACTERISTICAS, EXPLIQUE LA OPERACIÓN DEL FET EN ZONAS DE CORTE Y SATURACION.

• ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
• ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS.
• ZONA DE CORTE: La intensidad de drenado es nula (ID=0).

1. DESCRIBA PORQUE UN FET TIENE ALTA INPEDANCIA DE ENTRADA.

Para la elevada impedancia de entrada de los FET permite que almacenen la carga durante tiempo suficientemente largo como para usarlos como elementos de almacenamiento.

1. QUE TIPOS DE FET CONOCES. MOSFET: (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).  JFET: (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n. MESFET: (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky. HEMT: (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante.
2. DESCRIBA LA ECUACION DE SHOCKLEY.

El modelo matemático más empleado en el estudio del diodo es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La ecuación que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

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