Reporte de práctica. En la siguiente figura se muestra el circuito de polarización fija, proporciona una introducción relativamente directa y simple al análisis de polarización de CD de un transistor

PRACTICA  5

INTRODUCCION

En la siguiente figura se muestra el circuito de polarización fija, proporciona una introducción relativamente directa y simple al análisis de polarización de CD de un transistor. Aun cuando la red emplea un transistor NPN, las ecuaciones y cálculos se aplican en forma correcta por igual a una configuración PNP con solo cambiar todas las direcciones de corriente y polaridades de voltaje.

[pic 1]

Para el análisis de este circuito se debe considerar dos mallados, uno de la base y el otro del colector, quedando el circuito de la siguiente manera:

[pic 2]

Análisis de malla base-emisor

[pic 3]

Considerando primero la malla del circuito base-emisor que se mostró anteriormente, podemos escribir la ecuación de voltajes de Kirchhoff para la malla:

[pic 4]

El valor de voltaje de la fuente (Vcc) y el valor de voltaje de base a emisor (VBE) son constantes, la selección de un resistor de base (RB) establece el nivel de la corriente de base para el punto de operación.

Análisis de malla de colector -emisor

[pic 5]

La selección de la malla colector –emisor se muestra en el diagrama anterior donde indica la dirección de la corriente (Ic) y la polaridad resultante a través de (Rc). La magnitud de la corriente de colector se relaciona directamente con (Ib) por medio de:

Ic= βIb

Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff en la dirección de las manecillas del reloj a lo largo de la malla de salida, se obtendrá la siguiente formula:

Vcc-VRC-VC-VE=0

O visto de otra manera:

[pic 6]

Así se establece que el voltaje a través de la región de colector-emisor de un transistor en la configuración de polarización fija es la fuente de voltaje menos la caída a través de la resistencia en el colector (Rc).

Vce=Vc-Ve

Vce es el voltaje de colector a emisor, Vc es el voltaje de del colector y Ve y el voltaje de emisor, sin embargo Ve=0 debido a que la puesta a tierra y la formula se simplifica a:

VCE=Vc

Es la misma analogía para la siguiente formula:

 VBE=VB-VE

Donde VBE es el voltaje de base a emisor (Que es el voltaje de polarización del diodo que se encuentra en el transistor con un valor de 0.7v), VB es el voltaje de la base y Ve el voltaje de emisor, sin embargo VE=0 debido a que esta puesta a tierra y la formula se simplifica a:

VBE=VB

EJEMPLO

Determine lo siguiente para la configuración de polarización con una β=113 para el transistor 2N2222.

[pic 7][pic 8]

[pic 9]

VCE es el voltaje de colector a emisor, Vc es el voltaje del colector y Ve es el voltaje de emisor, sin embargo Ve=0 debido a que esta puesta a tierra y la formula se simplifica a:

VCE=VC

VBE=VB-VE

Donde VBE es el voltaje de base a emisor (que es el voltaje de polarización del diodo que se encuentra en el transistor con un valor de 0.7V), VB es el voltaje de la base y VE es el voltaje de emisor, sin embargo VE=0 debido a que esta puesta a tierra y la formula se simplifica a:

VBE=VB

VBC=VB-VC=0.7V -0.29V=0.404V

La siguiente figura es una simulación realizada en proteus.

[pic 10]

Forma de conexión del transistor[pic 11]

[pic 12]

De la siguiente manera podemos realizar la medición de la corriente que pasa por el transistor.[pic 13]

De la siguiente manera podemos realizar la medición de voltaje que pasa por el transistor

[pic 14]

PRACTICA 5

Circuito de polarización fija

Determinar lo siguiente para la configuración de polarización fija, con una β=112 para el transistor 2N2222, hacer su simulación en proteus y realizarlo físicamente para comprobar sus resultados.[pic 15]

[pic 16]

Circuito de polarización estabilizador en emisor

En la siguiente figura se muestra el circuito de polarización estabilizado en el emisor que como su nombre lo dice mejora una polarización de DC del BJT incorporándole un resistor en el emisor (la corriente y el voltaje en polarización DC permanecen cerca de los niveles establecidos por el circuito a pesar de cambios en las condiciones exteriores como la temperatura y la beta del transistor). A continuación se demostrara matemáticamente.

...