Analizar el comportamiento de la relación I – V de los diodos de silicio y Germanio en polarizacion directa y en inverso.

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Preinforme Nº1

Caracteristicas I -V del Diodo de unión PN
Subgrupo: 03

Sergio Andres Bernal Torres
u20171158016
Diego Tovar
u20171157428

1. OBJETIVOS

1. Analizar el comportamiento de la relación I – V de los diodos de silicio y Germanio en polarizacion directa y en inverso.
2. Demostrar que dependiendo de la temperatura del ambiente o ejercida sobre el diodo, varia su voltaje de Umbral.
3. Hallar el valor de la resistencia Dinamica (rd) y la resistencia estatica (Rd) de los diodos.

1. justificación

La intención practica para el desarrollo de este laboratorio es entender la naturaleza de funcionamiento del Diodo (expecificamente los de Germanio y Silicio). Apertura fundamental y esencial a lo que es hoy en dia la electrónica Analogica.

1. DESARROLLO TEÓRICO

La problemática por resolver es, por medio de la practica, comprobar el concepto de no linealidad de estos diodos, analizando sus datos en un plano cartesiand donde: Vd es la variable independiente y Id es la dependiente, dependiendo si esta en polarización directa o inversa con la fuente de voltaje. Si es en directa, se varia la fuente hasta que se lean los valores preestablecidos en la practica. Si es en inversa, mediante la ecuación  donde Rm = resistencia interna del multímetro, Vr = voltaje de la resistencia medida y Rmed=. Luego, se hallará la resistencia Dinamica y estatica de cada tipo de Diodo mediante el análisis de la curva del diodo. Despues, se determinará el voltaje umbral de cada tipo del Diodo gráficamente, y por ultimo, se les aplicará calor a los diodos por medio del cautil para comprobar la relación que existe entre la temperatura evidenciadada en la ecuación de la corriente del diodo donde .[pic 1][pic 2]

1. MATERIALES E INSTRUMENTACIÓN

En la elaboración de este laboratorio, se hara uso de los siguientes elementos o componentes electrónicos:

• 4 Diodos (2 de silicio y 2 de Germanio)
• 2 resistores de 1M a 0.5W
• 2 resistores de 1K a 0.5W
• 1 Multimetro
• 1 cautil

[pic 3]

[pic 4]

      Resistores 10 ΩK                                    Resistores 1MΩ

[pic 5][pic 6]

          Diodo de Silicio                                Diodo de Germanio

V.SIMULACION

• Polarizacion directa

[pic 7]

Es necesario una fuente de voltaje de 630mV para que en Vr aparezca el primer valor preestablecido. (Imagen para diodo de silicio) .

• Polarizacion Inversa

[pic 8]

La unidada de medidas para la corriente fue los microamperios, ya que se trata de una corriente muy pequeña.

(Imagen para el diodo de silicio).

1. REFERENCIAS

En esta seccion se citan las fuentes de consulta necesarias para poder realizer la practica de laboratorio, a continuacion se muetran ejemplos de como hacer las referencias. (Seccion necesaria para el informe)

Basic format for books:

1. J. K. Author, “Title of chapter in the book,” in Title of His Published Book, xth ed. City of Publisher, Country if not
2. USA: Abbrev. of Publisher, year, ch. x, sec. x, pp. xxx–xxx.

Examples:

1. G. O. Young, “Synthetic structure of industrial plastics,” in Plastics,  2nd  ed.,  vol.  3,  J.  Peters,  Ed.  New  York: McGraw-Hill, 1964, pp. 15–64.
2. W.-K. Chen, Linear Networks and Systems. Belmont, CA: Wadsworth, 1993, pp. 123–135.

Basic format for periodicals:

1. J. K. Author, “Name of paper,” Abbrev. Title of Periodical,  vol. x, no. x, pp. xxx-xxx, Abbrev. Month, year.

Examples:

1. J. U. Duncombe, “Infrared navigation—Part I: An assessment
   of feasibility,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-11, no. 1, pp. 34–39, Jan. 1959.
2. E. P. Wigner, “Theory of traveling-wave optical laser,” Phys. Rev.,
   vol. 134, pp. A635–A646, Dec. 1965.
3. E. H. Miller, “A note on reflector arrays,” IEEE Trans. Antennas Propagat., to be published.

Basic format for reports:

1. J. K. Author, “Title of report,” Abbrev. Name of Co., City of Co., Abbrev. State, Rep. xxx, year.

Examples:

1. E. E. Reber, R. L. Michell, and C. J. Carter, “Oxygen absorption in the earth’s atmosphere,” Aerospace Corp., Los Angeles, CA, Tech. Rep. TR-0200 (4230-46)-3, Nov. 1988.
2. J. H. Davis and J. R. Cogdell, “Calibration program for the 16-foot antenna,” Elect. Eng. Res. Lab., Univ. Texas, Austin, Tech. Memo. NGL-006-69-3, Nov. 15, 1987.

Basic format for handbooks:

1. Name of Manual/Handbook, x ed., Abbrev. Name of Co., City of Co., Abbrev. State, year, pp. xxx-xxx.

Examples:

1. Transmission Systems for Communications, 3rd ed., Western Electric Co., Winston-Salem, NC, 1985, pp. 44–60.
2. Motorola Semiconductor Data Manual, Motorola Semiconductor Products Inc., Phoenix, AZ, 1989.

Basic format for books (when available online):

1. Author. (year, month day). Title. (edition) [Type of medium]. volume (issue). Available: site/path/file

Example:

1. J. Jones. (1991, May 10). Networks. (2nd ed.) [Online]. Available: http://www.atm.com

Basic format for journals (when available online):

1. Author. (year, month). Title. Journal. [Type of medium]. volume (issue), pages. Available: site/path/file

Example:

1. R. J. Vidmar. (1992,  Aug.).  On  the  use  of  atmospheric plasmas as electromagnetic reflectors. IEEE Trans. Plasma Sci. [Online]. 21(3), pp. 876–880. Available: http://www.halcyon.com/pub/journals/21ps03-vidmar

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