CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT)

[pic 1][pic 2]INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

UNIDAD ZACATENCO

LABORATORIO DE ELECTRONICA

PRACTICA 5

(CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT))

Materia: Laboratorio de electrónica II

Profesora: Saraín Montero Corzo

Equipo:

• Hernández Rivas Raúl Omar        2014302245
• Obed Issac García Herrera                2014302193
• Adolfo Solórzano Valverde                2014302727

Grupo: 5EV2

Mesa de trabajo: 5

Equipo: 3

Fecha de realización: martes 29 de marzo de 2016

Fecha de entrega: martes 05 de marzo de 2016

Objetivo

• Determinar los parámetros eléctricos del transistor monounión (UJT) y comprobar la forma de operación del mismo.
• Determinar la resistencia de interbases (RBB).
• Determinar la resistencia de base 1 (RB1) en estado de conducción.
• Determinar la razón intrínseca de bloqueo (η).
• Observar y graficar las curvas características de tensión-corriente para varias tensiones de interbase.

Procedimiento

Aparatos y material utilizados

• 1 Fuente variable de tensión de CD
• 1 Osciloscopio Tektronix 210
• 1 Generador de funciones
• 1 Multímetro digital
• 3 Puntas para osciloscopio no atenuadas
• Cable para conexiones
• 1 protoboard
• 3 Fusibles tipo americano 0.5 A-250V
• 1 Fusible tipo europeo  de 0.2A -250V
• 1 porta fusible tipo automotriz (Para fusible tipo americano)
• 2 transistores 2N2646
• 1 resistencia de 1000 Ω  a 0.5W
• 4 cables con conectores banana- caimán
• 1 Potenciómetro de 20 K Ω a 0.5W

Sesión experimental

1. Al inicio de la práctica se deberá de hacer la comprobación del buen estado del UJT con el probador de diodos del multímetro y se deberán efectuar las pruebas tal como se muestra en la tabla 1 tomando en cuenta el símbolo del UJT 2N2646 en la figura 1.

Tabla 1 Pruebas de para conocer determinar el buen funcionamiento del UJT

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Figura 1 Símbolo y figura del UJT

1. Determinación de la resistencia de interbases RBB

Se deberá de realizar la conexión que se muestra en la figura 2. Con un VBB de 10 V. Se deberá de medir la diferencia de potencial y se deberá de calcular la resistencia interbases (RBB). Se deberá de repetir el mismo procedimiento para una tensión de 20 V

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Figura 2 Circuito para determinar resistencia interbases en conducción

Determinación de RBB con tensión VBB=10 V

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Determinación de RBB con tensión VBB=20 V

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1. Determinación de la resistencia de base 1 en conducción (R´B1).

1. Se deberá de conectar una fuente variable de CD entre el emisor y base 1 en serie con un ampermetro en el rango de mA  tal y como se muestra en la figura 3.
2. Se ajustara el potenciómetro de 20 KΩ a solo 5 KΩ
3. Ajustar la tensión de la fuente de CD hasta que el ampermetro muestre una medición de 5mA
4. Se realizara la medición de la tensión en VEB1 y se le restara la caída de tensión por la unión PN que corresponde a 0.5 V
5. Calcule con la ley de Ohm, RB1 teniendo en cuenta que su valor de conducción (R´B1)

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Figura 3 Circuito utilizado para determinar Resistencia  e-b1 en conducción

Calculo de R de emisor a base 1

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1. Determinación intrínseca de bloqueo (η)

1. Se realizara la conexión del UJT tal y como se muestra en la figura 4 con una tensión que lo alimente VBB de 10V
2. Se deberá de conectar la terminal positiva del osciloscopio en el emisor (E) y la terminal negativa en el neutro
3. Se tendrá que incrementar el VEE hasta alcanzar la tensión máxima aplicada que refleje el Vp en el primer intento, así intentarlo varias veces hasta determinar cuál es el valor en el que el UJT entra en conducción
4. Con el valor máximo alcanzado se deberá de calcular la razón intrínseca de bloqueo (η)
5. Repetir los mismos pasos con 20V

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Figura  4 Circuito para determinar la razón intrínseca de bloqueo

Tabla 2 Valores medidos

Calculo de η:

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