Caracteristicas De Un Transistor Nte 538

Input-to-output peak voltage (8-ms half sine wave). . . . . . . . . . . . . . . . . . 4N35 3.55 kV

Entrada y salida del voltaje (8ms media onda sinusoidal) 4N35 3.55 kV

Input-to-output root-mean-square voltage (8-ms half sine wave) . . . . . . . 4N35 2.5 kV

Entrada y salida del cuadro del voltaje (8ms media onda sinusoidal) 4N35 2.5 kV

Collector-base voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70 V

Tensión del colector base 70 V

Collector-emitter voltage (see Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V

Tensión del colector emisor 30 V

Emitter-base voltage . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 V

Voltaje del emisor base 7 V

Input-diode reverse voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 V

Entrada de tensión inversa del diodo 6 V

Input-diode forward current: Continuous. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 mA

Entrada de corriente continua directa del diodo 60mA

Peak (1 µs, 300 pps). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 A

Máximo (1 µs, 300 pps) 3A

Phototransistor continuous collector current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mA

Fototransistor de corriente continua 100mA

Continuous total power dissipation at (or below) 25°C free-air temperature:

Continua disipación de potencia total en (o por debajo) 25ºC libre de temperatura del aire:

Infrared-emitting diode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mW

Diodo emisor de infrarrojos 100mW

Phototransistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW

Fototransistor 300mW

Continuous power dissipation at (or below) 25°C lead temperature:

Continua disipación de potencia total en (o por debajo) 25ºC temperatura del ambiente:

Infrared-emitting diode. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 mW

Diodo emisor de infrarrojos 100mW

Phototransistor. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500 mW

Fototransistor 500mW

Operating temperature range, TA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 °C to 100°C

Rango de operación de temperatura, TA –55 °C to 100°C

Storage temperature range, Tstg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 °C to 150°C

Rango de temperatura de almacenamiento –55 °C to 150°C

Lead temperature 1,6 mm (1/16 inch) from case for 10 seconds. . . . . . . . .

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