Electrónica. Curva característica de drenador del transistor FET

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A continuación, responde:

1. En primer lugar, un cliente necesita comprender la curva característica de drenador del transistor FET, a fin de tener esto en cuenta al momento de utilizar este dispositivo en sus diseños, por lo que te pide le expliques los siguientes puntos, relacionado con la figura 1:

1. ¿Por qué el voltaje entre puerta y fuente (VGS) se decrementa de forma lineal en -1V, pero la separación decrece de forma no lineal?

Es porque el voltaje de puerta controla la conductancia del canal entre drenador y fuente. Al decrementar VGS se reduce la conductancia del canal, lo que provoca que la corriente de drenador (ID) no varíe linealmente.

1. ¿Por qué la corriente de drenador (IDSS) se hace máxima cuando el voltaje entre puerta y fuente (VGS) se hace cero?

Porque a VGS=0 el canal entre drenador y fuente está completamente abierto. El transistor se comporta como una resistencia muy pequeña, permitiendo el máximo flujo de corriente entre drenador y fuente.

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1. Lo siguiente que te pide tu jefe es que puedas explicar a tus compañeros de trabajo al menos 3 diferencias entre la polarización de una sola fuente o por división de tensión, para los amplificadores de fuente común, considerando la polaridad de los voltajes utilizados.

• Polarización de una sola fuente: solo requiere una fuente de alimentación en el circuito. La polarización de la puerta se realiza con una resistencia conectada a tierra.
• Polarización por división de tensión: requiere dos fuentes de alimentación, una para el drenador y otra de polarización inversa para la puerta.
• En la polarización de una sola fuente la tensión de puerta (VG) es siempre negativa con respecto a la fuente. En la polarización por división de tensión VG es positiva.
• La polarización por división de tensión permite un mejor control sobre el punto de polarización. La de una sola fuente depende más de las variaciones de los componentes.

1. Finalmente, se te consulta sobre la ganancia de un amplificador, para lo cual se te pide hallar el valor del punto Q (VGSQ, IDQ, VDSQ) en el circuito mostrado.

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Hallamos el valor VGSQ:

vvvv = vvv         vvvv= −2.5v

hallamos el valor de IDQ:

IDQ = IDSS (1 - )2IDQ = 6 * (1 - )2 IDQ = 2,8359375 mA

hallamos el valor de VDSQ:

VDSQ = VDD – IDQ* RD

VDSQ = 16 – 2.835 * 6

VDSQ = - 1.01V

Bibliografía

(S. f.). Iacc.cl. Recuperado 12 de febrero de 2024, de https://online.iacc.cl/pluginfile.php/3109121/mod_resource/content/6/S6_CONTENIDO_ELECT1302.pdf?redirect=1

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