Electrónica

ÍNDICE

Página.

CAPÍTULO I. RESUMEN……………………………………………………………… ¿?

1.1 Introducción………………………………………………………………………… ¿?

1.2 Objetivos……………………………………………………………………………. ¿?

CAPÍTULO II. MARCO TEÓRICO....................................................................... ¿?

2.1 Diodo semiconductor……………………………………………………………... ¿?

2.2 Curva característica del diodo…………………………………………………… ¿?

2.3 Rectificación de media onda…………………………………………………….. ¿?

2.4 Rectificación tipo puente…………………………………………………………. ¿?

CAPÍTULO III. ASPECTOS TÉCNICOS……………………………………………. ¿?

4.1 Diagrama a bloques de la fuente de voltaje……………………………………. ¿?

4.2 Circuito de la fuente de voltaje…………………………………………………... ¿?

4.3 Lista de materiales………………………………………………………………… ¿?

CAPÍTULO IV. CONCLUSIONES Y BIBLIOGRAFÍA……………………………… ¿?

5.1 Conclusiones………………………………………………………………………. ¿?

5.2 Bibliografía…………………………………………………………………………. ¿?

CAPITULO I

RESUMEN

1.1 Introducción

En este trabajo se analizaran conceptos básicos de los que son capacitores.

Hicimos una fuente con la ayuda del programa TINA, el cual nos permitió analizar primeramente si el circuito funcionaba, para no echar a perder el material quemándolo o inclusive ocasionando algún corto circuito.

Utilizamos un trasformador que alimentaria nuestra fuente, además del puente de diodos que rectifica la onda haciéndola completa, para que se convierta en corriente directa, y así poder utilizar esa energía.

OBJETIVOS

DIODO SEMICONDUCTOR

Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con dos electrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo. Vea en la figura 1 el símbolo del diodo.

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

Figura 1 símbolo del diodo.

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Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera o unión. Esta barrera o unión es de 0.3 voltios en el diodo de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

Principio de operación de un diodo: El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando una tención positiva se aplica el lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P más allá de los límites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tención negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N. En el caso opuesto, cundo una tención positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente.

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Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él para crear una región que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los electrones).

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Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.

A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

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Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio. La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5 micraspero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

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Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa o inversa.

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Polarización directa de un diodo

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la

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