Las tareas de test de física

1.- DESCUBRIO LAS ONDAS ELECTROMAGNETICAS.

A) MAXWELL B) OESTED C) HERTZ D)FITZ

2.- CUAL ES EL OBJETIVO DE LA REJA DE CONTROL.

A) DISMINUIR LA CAPACIDAD INTERELECTRODICA B)REGULAR LA CORRIENTE

C)AUMENTAR EL VOLTAJE D)REGULAR EL VOLTAJE

3.- CUAL ES LA VENTAJA DEL TRETODO SOBRE TRIODO.

A) AUMENTAR LA CAPACIDAD INTERELECTRODICA B) AUMENTAR EL VOLTAJE

C)REDUCIR LA CAPACIDAD INTERELECTRODICA D)REDUCIR LA GANANCIA

4.- VALVULA FORMADA POR DOS ELEMENTOS.

A)DIODO B) TRIODO C) TETRODO D ) PENTODO

5.- EN LA EMISIÓN TERMIONICA, A MAYOR TEMPERATURA, MAYOR.

A) CORRIENTE B)VOLTAJE C)RESISTENCIA D)IMPEDANCIA

6.- CUAL ES LA PRINCIPAL APLICACIÓN DE TRIODO.

A)DETECTOR B)RECORTADOR C)RECTIFICADOR D) AMPLIFICADOR

7.- PARTICULAS MÁS PEQUEÑAS EN QUE SE PUEDEN PRODUCIRSE UN ELEMENTO, CONSERVANDO SUS PROPIEDADES.

8.- COMO SE LLAMAN A LOS ELECTRONES QUE GIRAN EN LA ULTIMA CAPA.

A)DE VALENCIA B)DE CONDUCCIÓN C)LIBRES D)DE FOTO-EMICIÓN

9.- MATERIALES QUE TIENEN MAS DE CINCO ELECTRONES EN SU ULTIMA CAPA.

A)SEMICONDUCTORES B)CONDUCTORES C)AISLADORES D)DIELECTRICOS

10.- CUANDO LA TEMPERATURA DISMINUYE, LA RESISTENCIA DE UN SEMICONDUCTOR.

A)AUMENTA B)PERMANECE IGUAL C)DISMINUYE D)NO SE SABE

11.- LA RAZÓN PRINCIPAL PARA DOPEAR UN SEMICONDUCTOR ES PARA INCREMENTAR. SU.

A)CORRIENTE B)VOLTAJE C) CONDUCTIVIDAD D)RESISTENCIA

12.- EL TIPO DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE TIENE ELECTRONES COMO PORTADORES MAYORITARIOS.

A)TIPO “P” B)TIPO ”NPN” C)TIPO “N” D)TIPO “PNP”

13.- LA RESISTENCIA DE UN VARISTOR ES INVERSAMENTE PROPORCIONAL A

A)LA CORRIENTE B)AL VOLTAJE C)LA CAPACIDAD D)TEMPERATURA

14.- LA BARRERA DE VOLTAJE EN UN DIODO SEMICONDUCTOR ES DEL ORDEN.

A)DE 10 A 100mV B)DE 100mV a 1V C)DE 1 A 10V D)DE 10 A 100V

15.- LA CAIDA DE VOLTAJE A TRAVES DE UN DIODO DE SILICIO CONDUCIENDO ES DE

A) 0.1V B) 0.3V C) 0.5V D) 0.7V

16.- CONFIGURACIÓN USADA EN LOS BJT´S PARA ACOPLAMIENTO DE IMPEDANCIA

A)C.C B)E.C. C)B.C. D)N.A.

17.- ¿CUÁL CONFIGURACIÓN DEL TRANSISTOR BJT PROPORCIONA MAYOR GANANCIA DEL VOLTAJE :

A)C.C. B)E.C. C)B.C. D)N.A

18.- LA GANANCIA POR CORRIENTE DE UN CIRCUITO DE BASE COMÚN ES :

A)BETA B)ALFA C)GAMMA D)N.A

19.- EN CASO DEL MOSFET CANAL N DE MODO DE CRECIMIENTO NO EXISTE CORRIENTE DEL DRENAJE HASTA QUE EL VOLTAJE COMPUERTA - FUENTE EXCEDA EL VALOR DE

A) K B) VGS C) VT D) N.A.

20.- CUANDO EN UN BJT LAS DOS UNIONES ESTAN INVERSAMENTE POLARIZADAS, SE DICE QUE SE TRABAJA EN LA REGIÓN :

A) DE SATURACIÓN B) DE CORTE C)DE OPERACIÓN D) N.A

21.- EN GENERAL LOS FET TIENEN LA RESISTENCIA DE ENTRADA :

A)<10 MEGAOHMS B)<100 MEGAOHMS C)100 KILO OHMS D)N.A

22.- UN PARÁMETRO CARACTERÍSTICO DE LOS FET´S QUE RIGE EL COMPORTAMIENTO DE LOS

...