PRACTICA CIRCUTOS ELECTRONICOS

UNIVERSIDAD CATOLICA SANTA MARIA

PROGRAMA PROFESSIONAL DE INGENIERIA MECANICA, MECANICA ELECTRICA Y MECATRONICA

PRACTICA CIRCUTOS ELECTRONICOS

INFORME N 1:

CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

INTEGRANTES:

LAZARO CAHUANA KEVIN

RICARDO GUARINO CONDORI

VALDIVIA VEGA JUAN CARLOS

USCA QUISPE CARLOS ABEL

SEMESTRE:

V

2015

CARACTERÍSTICAS DEL DIODO

1. OBJETIVOS

-Obtener las características de un diodo de silicio y germanio.

- Analizar las características técnicas de un diodo.

2. INTRODUCCION:

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuital, indica el sentido permitido de la corriente.

EJEMPLO

Según está colocada la fuente, la corriente debe circular en sentido horario.

En el circuito de la izquierda, el diodo permite dicha circulación, ya que la corriente entra por el ánodo, y éste se comporta como un interruptor cerrado. Debido a esto, se produce una caída de tensión de 10V en la resistencia, y se obtiene una corriente de 5mA.

En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente, comportándose como un interruptor abierto, y la caída de tensión en la resistencia es nula: los 10V se aplican al diodo.

3. EQUIPO Y MATERIALES:

Fuente DC , DMM

Resistores 1/4W

Resistores 1k, 1M.

Diodos Silicio 1N007

Diodos silicio 1N4004

Diodos Germanio 1N60

Multímetro

4. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

Características del diodo en polarización directa

4.1 Escala de prueba de diodos del DMM

Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

CONEXIÓN DIRECTA

- Usando el multímetro determinamos la condición de cada diodo.

- Completar la siguiente tabla con los datos obtenidos con el multímetro.

TEST SI: 1N4007 SI: 1N4004 GE: 1N60

DIRECTO 0.671 0.648 0.283

INVERSO 1 1 1

Tabla 1. Condición de los diodos

4.2. Escala de resistencia del DMM

- Usar la escala de prueba de diodo en el DMM y determinar la condición de cada diodo.

TEST SI: 1N4007 SI: 1N4004 GE: 1N60

DIRECTO 0.354 0.306 0.265

INVERSO 1 1 1

Tabla 2. Condición de los diodos

4.3. Características del diodo en polarización directa

-Arme el siguiente circuito

Rmedido = 982

De acuerdo a la siguiente tabla aumente el V de la fuente desde 0,1 a 0,9 y realice las medidas correspondientes. Mida el VD y calcule ID.

Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y germanio.

DIODO 1N4007

VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

VD (V) 0.12 0.14 0.23 0.40 0.44 0.60 0.71 0.76 0.83

ID = VR/ RMed (mA) 0.13 0.14 0.23 0.41 0.45 0.61 0.72 0.77 0.85

VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9

VD (V) 0.99 2.03 2.96 3.66 4.73 5.49 6.67 7.44 8.30

ID = VR/ RMed (mA) 1.01 2.07 3.01 3.73 4.81 5.59 6.79 7.58 8.45

DIODO 1N60

VR (V) 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9

VD (V) 0.08 0.17 0.21 0.22 0.24 0.25 0.26 0.26 0.27

ID = VR/ RMed (mA) 0.08 0.17 0.21 0.22 0.24 0.26 0.27 0.27 0.27

VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9

VD (V) 0.27 0.30 0.33 0.34 0.35 0.37 0.38 0.39 0.40

ID = VR/ RMed (mA) 0.27 0.31 0.34 0.35 0.36 0.38 0.39 0.40 0.41

5 . CARACTERÍSTICAS DEL DIODO EN POLARIZACIÓN INVERSA

-Mida el voltaje VR calcule la corriente de saturación inversa con la ecuación I_D= V_R/(R_med || R_m )

HALLANDO ID

DIODO 1N4007

I_D=V_R/(R_medido ||R_m )

I_D=V_R/(1/R_medido +1/R_m )^(-1)

I_D=(0.40)/(1/(0.982*〖10〗^6 )+1/(10*〖10〗^6 ))^(-1)

I_D=0.447 μA

DIODO 1N4004

I_D=V_R/(R_medido ||R_m )

I_D=V_R/(1/R_medido +1/R_m )^(-1)

I_D=(0.39)/(1/(0.982*〖10〗^6 )+1/(10*〖10〗^6 ))^(-1)

I_D=0.436 μA

Diodo 1N60

I_D=V_R/(R_medido ||R_m )

I_D=V_R/(1/R_medido +1/R_m )^(-1)

I_D=(0.17)/(1/(0.982*〖10〗^6 )+1/(10*〖10〗^6 ))^(-1)

I_D=0.190 μA

-Rm es la resistencia interna del DMM (10M).

1N4007 1N4004 1N60

Rm 1.25M 1.06M 0.27M

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