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Tipo de enlace químico


Enviado por   •  21 de Noviembre de 2013  •  Ensayo  •  781 Palabras (4 Páginas)  •  4.108 Visitas

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1. ¿Qué tipo de enlace químico presentan los materiales conductores, semiconductores y aislantes?

Conductores:

Enlace metálico: Buenos conductores de la electricidad (nube de electrones deslocalizada).

Enlace iónico: Son solubles en agua por lo general, los iones quedan libres al disolverse y puede conducir la electricidad.

Semiconductores:

Enlace covalente: se los contamina para darles alguna propiedad especial, como alterar la probabilidad de ocupación de las bandas de energía, crear centros de recombinación, y otros. A mayores temperaturas algunos electrones adquieren suficiente energía para escapar del enlace y se convierten en electrones “libres” (libres pero dentro del sólido cristalino), dejando atrás una vacante en el enlace covalente. Dicha vacante se conoce como un hueco y todo este proceso se conoce como producción térmica de un par electrón-hueco.

Aislantes:

Enlace covalente: No conducen la electricidad en ningún estado físico dado que los electrones del enlace están fuertemente localizados y atraídos por los dos núcleos de los átomos que los comparten.

Enlace iónico: No conducen la electricidad en estado sólido, los iones en la red cristalina están en posiciones fijas, no quedan partículas libres que puedan conducir la corriente eléctrica.

2. En base a la teoría de bandas realice esquemas que muestren el comportamiento de los materiales como conductores o aislantes

a) Conductor (las bandas se superponen); b) semiconductor (poca diferencia de energía entre las dos bandas); c) aislante (la diferencia de energía entre las dos bandas imposibilita el salto de los electrones).

3. ¿Qué es un semiconductor: Intrínseco, tipo p y tipo n?

Intrínseco. -Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente eléctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos, originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

Tipo N. -Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones). Cuando se añade el material dopante, aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.

Tipo P. -Se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

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