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Reporte de laboratorio de electronica 2 lab4


Enviado por   •  14 de Diciembre de 2018  •  Informe  •  1.427 Palabras (6 Páginas)  •  453 Visitas

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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA CENTROAMERICANA

UNITEC

PRÁCTICA #4

“INTRODUCCIÓN AL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)”

ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRONICA I

INSTRUCTOR: ING. RICARDO TELLEZ

INTEGRANTES:

                   

                Hector Adan Rosa                        

                Kevin Diaz Contreras              21511188

                     

TEGUCIGALPA, FRANCISCO MORAZÁN

“29 de Agosto del 2018”

  1. RESUMEN EJECUTIVO

En el laboratorio se empezó a trabajar con  transistores bipolares PNP Y NPN. Se comenzó armando el circuito a continuación y utilizando el transistor NPN 2N3904. Hicimos uso de un potenciómetro para la resistencia variable que se muestra en el circuito y brindamos una fuente de 5V el supply +. Se conectó el catodo del LED al colector del transistor y se conectó un voltímetro en las terminales del tierra y la base del transistor.[pic 2]

Posteriormente se fue variando el valor de la resistencia con el potenciómetro hasta obtener un voltaje de base deseado. Seguidamente se midió el voltaje entre el colector y el emisor y el voltaje del LED. Se repitió este mismo procedimiento con el circuito a continuación de un transistor PNP 2N3905, conectando el anodo del LED al colector del transistor.

[pic 3]

Seguidamente se armó el circuito mostrado a continuación colocando un fotoresistor donde teníamos colocado el potenciómetro. Se comenzó utilizando el transistor NPN 2N3904 y se colocaron las terminales del voltímetro en la base del transistor y en el tierra. Se cubrió el fotoresistor en su totalidad y se observó el LED encendido.

[pic 4]

  1. OBJETIVOS

  1. Aprender cómo usar el transistor bipolar como interruptor.
  2. Observar cómo el voltaje en la base del transistor afecta el comportamiento del resto del transistor.
  3. Construir un sencillo sensor de luz utilizando un fotoresistor.
  4. Observar las diferencias entre transistor NPN y PNP.

  1. MARCO TÉORICO

Transistores de unión bipolar BJT

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p, o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. Las tres regiones se llaman emisor (E), base (B) y colector (C). (Floyd, 2008) y (Boylestad, 2009)

[pic 5]

Ilustración 1. Estructura de un transistor BJT npn y pnp

La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor. La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión base-colector, como se muestra en la ilustración 1 un conductor conecta a cada una de estas tres regiones. La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada. (Floyd, 2008)

[pic 6]

Ilustración 2. Símbolos de un BJT estándar

Operación de un BJT

Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que sucede en el interior. La región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los electrones libres.

Estos electrones libres se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo p muy delgada y levemente dopada (véase ilustración 3). Es aquí donde un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se va hacia la base, donde se recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la base hacia el emisor como corriente de huecos. (Floyd, 2008)

[pic 7]

Ilustración 3. Principio de operación de un transistor npn.

Aplicaciones de un transistor BJT

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran (Turmero, s.f.):

  • Actúan como amplificadores
  • Generador de señal
  • Interruptores
  • Detección de radiación luminosa

Transistor BJT como interruptor

Un circuito básico a transistor es el circuito inversor; es decir que su salida es de bajo nivel cuando la señal de entrada es alta y viceversa (Ilustración 4).

El mismo circuito  está calculado de manera que el transistor esté en la zona de corte o saturación dependiendo si el valor de la función de entrada vale 0 ó +V, respectivamente. Trabajando de esta manera el transistor se comporta como un interruptor controlado, realizando transiciones entre la saturación y el corte. Se observa que el interruptor está controlado por la corriente de base: [pic 8]

Ilustración 4. Circuito básico del transistor

Cuando el transistor está al corte no fluye corriente y el interruptor está abierto y, cuando el transistor está saturado fluye la máxima corriente de colector y el interruptor está cerrado.

[pic 9]

Ilustración 5. Comportamiento del transistor como interruptor.

  1. RESULTADOS EXPERIMENTALES

Parte # 1

COMPORTAMIENTO DEL TRANSISTOR NPN

VB (V)

VLED (V)

VCE (V)

0.40

0.671

3.68

0.45

1.25

3.66

0.50

1.37

3.60

0.55

1.47

3.5

0.60

1.56

3.40

0.65

1.64

3.20

0.70

1.784

2.270

0.75

1.957

0.300

Parte # 2

COMPORTAMIENTO DEL TRANSISTOR PNP

VB (V)

VLED (V)

VCE (V)

-0.40

-1.05

-3.71

-0.45

-1.32

-3.66

-0.50

-1.41

-3.58

-0.55

-1.52

-3.47

-0.60

-1.60

-3.32

-0.65

-1.70

-2.75

-0.70

-1.85

-1.58

...

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