Reporte de laboratorio de electronica 2 lab4
Enviado por kevin33iaz • 14 de Diciembre de 2018 • Informe • 1.427 Palabras (6 Páginas) • 453 Visitas
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA CENTROAMERICANA
UNITEC
PRÁCTICA #4
“INTRODUCCIÓN AL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)”
ASIGNATURA: LABORATORIO DE ELECTRONICA I
INSTRUCTOR: ING. RICARDO TELLEZ
INTEGRANTES:
Hector Adan Rosa
Kevin Diaz Contreras 21511188
TEGUCIGALPA, FRANCISCO MORAZÁN
“29 de Agosto del 2018”
RESUMEN EJECUTIVO
En el laboratorio se empezó a trabajar con transistores bipolares PNP Y NPN. Se comenzó armando el circuito a continuación y utilizando el transistor NPN 2N3904. Hicimos uso de un potenciómetro para la resistencia variable que se muestra en el circuito y brindamos una fuente de 5V el supply +. Se conectó el catodo del LED al colector del transistor y se conectó un voltímetro en las terminales del tierra y la base del transistor.[pic 2]
Posteriormente se fue variando el valor de la resistencia con el potenciómetro hasta obtener un voltaje de base deseado. Seguidamente se midió el voltaje entre el colector y el emisor y el voltaje del LED. Se repitió este mismo procedimiento con el circuito a continuación de un transistor PNP 2N3905, conectando el anodo del LED al colector del transistor.
[pic 3]
Seguidamente se armó el circuito mostrado a continuación colocando un fotoresistor donde teníamos colocado el potenciómetro. Se comenzó utilizando el transistor NPN 2N3904 y se colocaron las terminales del voltímetro en la base del transistor y en el tierra. Se cubrió el fotoresistor en su totalidad y se observó el LED encendido.
[pic 4]
OBJETIVOS
- Aprender cómo usar el transistor bipolar como interruptor.
- Observar cómo el voltaje en la base del transistor afecta el comportamiento del resto del transistor.
- Construir un sencillo sensor de luz utilizando un fotoresistor.
- Observar las diferencias entre transistor NPN y PNP.
MARCO TÉORICO
Transistores de unión bipolar BJT
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p, o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. Las tres regiones se llaman emisor (E), base (B) y colector (C). (Floyd, 2008) y (Boylestad, 2009)
[pic 5]
Ilustración 1. Estructura de un transistor BJT npn y pnp
La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor. La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión base-colector, como se muestra en la ilustración 1 un conductor conecta a cada una de estas tres regiones. La región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada. (Floyd, 2008)
[pic 6]
Ilustración 2. Símbolos de un BJT estándar
Operación de un BJT
Para entender cómo opera un transistor, veamos lo que sucede en el interior. La región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los electrones libres.
Estos electrones libres se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa hacia la región de la base de tipo p muy delgada y levemente dopada (véase ilustración 3). Es aquí donde un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se va hacia la base, donde se recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la base hacia el emisor como corriente de huecos. (Floyd, 2008)
[pic 7]
Ilustración 3. Principio de operación de un transistor npn.
Aplicaciones de un transistor BJT
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran (Turmero, s.f.):
- Actúan como amplificadores
- Generador de señal
- Interruptores
- Detección de radiación luminosa
Transistor BJT como interruptor
Un circuito básico a transistor es el circuito inversor; es decir que su salida es de bajo nivel cuando la señal de entrada es alta y viceversa (Ilustración 4).
El mismo circuito está calculado de manera que el transistor esté en la zona de corte o saturación dependiendo si el valor de la función de entrada vale 0 ó +V, respectivamente. Trabajando de esta manera el transistor se comporta como un interruptor controlado, realizando transiciones entre la saturación y el corte. Se observa que el interruptor está controlado por la corriente de base: [pic 8]
Ilustración 4. Circuito básico del transistor
Cuando el transistor está al corte no fluye corriente y el interruptor está abierto y, cuando el transistor está saturado fluye la máxima corriente de colector y el interruptor está cerrado.
[pic 9]
Ilustración 5. Comportamiento del transistor como interruptor.
RESULTADOS EXPERIMENTALES
Parte # 1
COMPORTAMIENTO DEL TRANSISTOR NPN | ||
VB (V) | VLED (V) | VCE (V) |
0.40 | 0.671 | 3.68 |
0.45 | 1.25 | 3.66 |
0.50 | 1.37 | 3.60 |
0.55 | 1.47 | 3.5 |
0.60 | 1.56 | 3.40 |
0.65 | 1.64 | 3.20 |
0.70 | 1.784 | 2.270 |
0.75 | 1.957 | 0.300 |
Parte # 2
COMPORTAMIENTO DEL TRANSISTOR PNP | ||
VB (V) | VLED (V) | VCE (V) |
-0.40 | -1.05 | -3.71 |
-0.45 | -1.32 | -3.66 |
-0.50 | -1.41 | -3.58 |
-0.55 | -1.52 | -3.47 |
-0.60 | -1.60 | -3.32 |
-0.65 | -1.70 | -2.75 |
-0.70 | -1.85 | -1.58 |
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