ELECTRÓNICA ANALÓGICA
Enviado por chago007 • 26 de Agosto de 2019 • Trabajo • 3.219 Palabras (13 Páginas) • 93 Visitas
ELECTRÓNICA ANALÓGICA
DIODOS Y TRANSISTORES, AMPLIFICADORES Y OSCILADORES
INTRODUCCIÓN: Semiconductores
SEMICONDUCTOR: Material con características entre los conductores y los aisladores. Sirven como materiales básicos para construir los componentes más importantes.
¿Qué hacen los semiconductores?
La función primaria es controlar corrientes y voltajes. Los dispositivos semiconductores son muy pequeños, ligeros y consumen cantidades de energía muy pequeñas y son altamente eficientes y confiables.
Ventajas de los semiconductores
· Suelen conocerse como componentes de estado sólido.
· Los dispositivos de estado sólido no contienen filamentos o calefactores como los tubos de vacío.
· Su consumo de energía es mínimo.
· Operan con voltajes muy pequeños
· Son muy utilizados en equipo portátil por su tamaño pequeño
· Son más económicos que los tubos de vacío.
Desventajas de los semiconductores
· Son muy susceptibles a los cambios de temperatura
· Pueden ser fácilmente dañados si se excede su capacidad de disipación de calor
· Se pueden dañar si se les polariza de forma incorrecta.
Conductor, semiconductor, aislante
SEMICONDUCTORES
Germanio (Ge)
Silicio (Si)
CONDUCTORES
Oro
Plata
Cobre
aluminio
AISLADORES
Vidrio
Madera
Plásticos
Hule
Semiconductores N Y P
Semiconductor tipo N
Cuando un semiconductor puro es contaminado con un material pentavalente como el arsénico (As).
Si se aplica una tensión a un trozo de semiconductor tipo N se producirá una corriente eléctrica desde la terminal negativa de la pila hacia la positiva, pasando a través del trozo semiconductor.
Semiconductor tipo P
Cuando se dopa un material intrínseco con un material trivalente como el Galio (Ga).
Si aplicamos una tensión a través de un material tipo P, se establecerá una corriente eléctrica desde el terminal negativo de la pila, hacia el positivo, pasando obviamente a través del material semiconductor dopado.
DIODOS
Semiconductores
DIODO
Un diodo se construye uniendo íntimamente un trozo de material semiconductor tipo N con un tipo P. Cuando así se hace, se forma una unión en el punto donde ambas partes se tocan. En la unión se combinan electrones y huecos.
Un dispositivo como estos se conoce como diodo de unión (o simplemente diodo) y puede fabricarse con Germanio (Ge) o con Silicio (Si).
ZONA DE AGOTAMIENTO
Debido al movimiento de electrones libres aparece una región o zona de agotamiento alrededor de la unión. En la que desaparecen los electrones libres en la frontera del lado “N”, así como los huecos en la frontera del lado P.
En la región de agotamiento apareció un par de cargas eléctricas, positiva en el lado N (ya que perdió electrones), y negativa en el lado P (ya que ganó electrones que cedió la Parte N. A esto se le conoce como barrera de voltaje o barrera de potencial. En este fenómeno se crea una diferencia de potencial. Esta barrera tendrá usualmente un valor de algunas décimas de volt y dependerá del material del diodo. En los del Germanio suele estar alrededor de .3 volts, mientras que en los de Silicio se sitúa aproximadamente en 0.7 volts.
TENSIÓN UMBRAL
DIODOS MÁS COMUNES
DIODO PEQUEÑA SEÑAL
stos diodos están optimizados para utilizarlos a altas frecuencias y sus potencias máximas permitidas son menores que .5 wat estos diodos tienen un área de unión más.
DIODO ZENER
stos diodos están optimizados para utilizarlos a altas frecuencias y sus potencias máximas permitidas son menores que .5 wat estos diodos tienen un área de unión más.
TRANSISTORES
Tipos de Transistores
TRANSISTORES
BIPOLARES (BJT)
EFECTO DE CAMPO (FET)
UNIPOLAR
FOTO TRANSISTOR
NPN
PNP
UNIÓN (JFET)
ÓXIDO-METAL (MOSFET)
Canal N (JFET-N)
Canal P (JFET-P)
Canal N (MOSFET-N)
Canal P (MOSFET-P)
Transistores Bipolares BJT
BJT = Bipolar Junction Transistor (Transistor de Unión Bipolar)
PNP
NPN
Transistores JFET
JFET = Junction Field-Effect Transistor (Transistor de Efecto de Campo de Unión)
Transistores MOSFET
MOSFET= Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
(Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor)
AmplificadoresOperacionales
El Amplificador Operacional
Un amplificador operacional, a menudo conocido opamp por sus siglas en inglés (operational amplifier) es un dispositivo amplificador electrónico de alta ganancia acoplado en corriente continua que tiene dos entradas y una salida. En esta configuración, la salida del dispositivo es, generalmente, de cientos de miles de veces mayor que la diferencia de potencial entre sus entradas.
Amplifica voltaje a partir de voltaje ó potencia a partir de potencia.
El Amplificador Operacional IDEAL
Infinita ganancia en lazo abierto.
Infinita resistencia de entrada.
Corriente de entrada cero.
Voltaje de desequilibrio de entrada cero.
Infinito rango de voltaje disponible en la salida.
Infinito ancho de banda con desplazamiento de fase cero.
Rapidez de variación de voltaje infinita.
Resistencia de salida cero.
Ruido cero.
Infinito rechazo de modo común (CMRR)
Infinito factor de rechazo a fuente de alimentación (PSRR).
El Amplificador Operacional REAL
Ganancia en lazo abierto, para corriente continua, desde 100.000 hasta más de 1.000.000.
Resistencia de entrada finita, desde 0,3 MΩ en adelante.
Resistencia de salida no cero.
Corriente de entrada no cero, generalmente de 10 nA en circuitos de tecnología bipolar.
Voltaje de desequilibrio de entrada no cero, en ciertos dispositivos es de ±15 mV
Rechazo de modo común no infinito, aunque grande, en algunos casos, de 80 a 95 dB.
Rechazo a fuente de alimentación no infinito.
Características afectadas por la temperatura de operación.
Deriva de las características, debido al envejecimiento del dispositivo.
Ancho de banda finito, limitado a propósito por el diseño o por características de los materiales.
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